剑桥大学Manish Chhowalla和王琰研究员系统梳理了二维过渡金属硫族化合物（TMD）电子器件实用化面临的掺杂、p 型低阻接触、高 k 栅介质三大核心挑战，并指出其根源在于高密度点缺陷，强调低缺陷晶圆级制备、范德华界面工程与 CMOS 兼容介质是未来突破关键。相关工作发表在…

六方氮化硼凭借其化学稳定性与可调控电子结构，作为一种固态储氢介质受到广泛关注。本综述总结了六方氮化硼纳米结构的合成方法与性能增强策略。研究证实，尽管原始六方氮化硼与氢的相互作用相对较弱，但通过结构调控、杂原子掺杂、缺陷工程与金属修饰等改性方式，可有效调…

快速工业化和日益增长的能源需求加速了无机污染物的释放，对生态系统和人类健康构成严重威胁。尽管已探索了各种水处理技术，但许多技术存在成本高、产生污泥以及在水基质中效果有限等问题。在这些技术中，吸附法因其简单性、快速动力学、高选择性和可重复使用性而成为一种…

研究背景碳化硼（B₄C）作为一种结构陶瓷材料，因其极高的硬度、低密度和优异的化学稳定性，在装甲防护、核屏蔽和精密研磨等领域具有重要应用。然而，其固有的低自扩散系数导致烧结性能极差，通常需要极高温（2250C）或使用超细、高分散的原料粉末才能实现致密化。传统的…

新兴技术的快速发展，尤其是人工智能和第三代半导体的出现，推动了高功率密度电子系统对高效热管理的需求激增。聚合物基导热复合材料兼具聚合物的柔韧性和易加工性以及无机填料的高热导率（TC），使其成为电子封装、储能和通信设备领域极具潜力的候选材料。在众多填料中，…

导读 近日，暨南大学杨先光课题组在宽禁带半导体光电器件领域取得重要进展，成功实现铟掺杂六方氮化硼 / 氮化镓（In‑doped hBN/GaN）异质结的电压调控双波段电致发光，相关成果以 “Voltage‑Controlled Dual‑Band Electroluminescence from In‑Doped hBN/GaN Heteroj…

日前，华北理工大学团队领导开发的科研成果“压力诱导制备纳米球形氮化硼”发表在“金刚石材料”期刊上，这种高效新颖的粉体制备方法及其机理不仅有利于解决球形h-BN难以精准合成的痛点，并且在高端热界面材料、高导热绝缘陶瓷、电子封装及先进复合材料等领域具有广阔的应…

高功率、高频电子器件的快速发展对聚合物复合材料提出了更高的要求，即聚合物复合材料必须同时具备高导热性、优异的电绝缘性、高机械强度和优异的热稳定性。传统的填料改性或基体增强策略通常以牺牲其他性能为代价来提升某一项性能，从而限制了全面优化。中科院广州化学有…

文章概要✦核心发现：通过电子束辐照在单层六方氮化硼（hBN）中可控制备硼端基四空位，形成三角形纳米孔，其静电势可用于选择性离子传输等应用。研究背景：二维材料缺陷工程是调控性能的关键；hBN纳米孔在过滤和传感中应用广泛，但控制缺陷边缘终止（硼或氮）仍是核心挑战…

二维范德华van der Waals (vdW) 半导体的转角堆叠形成了莫尔超晶格，为实现对量子态及其光-物质相互作用的前所未有的调控提供了可能。近日，韩国基础科学研究院/韩国浦项科技大学联合德国马克斯普朗克物质结构与动力学研究所在Science上发文，在两个六方氮化硼单晶块体之…

随着电子器件向轻薄化、集成化和高性能化方向快速发展，高效热管理成为保障设备可靠性与使用寿命的关键。在众多导热填料中，氮化硼（特别是六方氮化硼，h-BN）因其高导热性、电绝缘性及化学稳定性成为高性能绝缘导热材料的首选，在5G/6G高频封装、AI、新能源汽车等高功率…

近日，一项发表于《自然通讯》（Nature Communications）的研究报道了同位素纯化六方氮化硼（h⁰BN）在热输运领域的突破性发现。研究团队通过精密实验测量，揭示了该材料在室温下表现出极高的热导率，并观察到显著偏离传统理论的热传输现象。该研究由法国巴黎-萨克雷大学…