做 AI 的同行都懂一个越来越痛的现实：模型越大、算力越猛，电费越烧越凶。大模型算力需求每两个月翻一番，GPU 单卡功耗冲到 300 多瓦，数据中心一年电费几十亿；而根源就是冯・诺依曼架构天生的 “存算分离”—— 算一次要来回搬好几次数据，80% 以上的能耗都耗在了数据…

本综述系统性地考察了六方氮化硼（h-BN）及其衍生物的表面化学与先进调控方法，重点强调了其独特的结构、电子和光学性质，这些性质使其得以广泛应用于众多领域。首先，讨论了h-BN的本征特性，包括高热稳定性、机械强度以及优异的电绝缘性。其次，阐述了化学功能化、掺杂以…

研究背景固态自旋缺陷已成为多种量子技术的重要平台，包括多节点量子网络和量子增强传感。这些进展主要得益于可光学寻址的相干自旋所构建的自旋-光子量子接口。尽管已有多个材料系统在自旋-光子体系中取得成功，但每种材料平台都存在内在限制，在具体应用中常需权衡。此外…

近日，由井冈山大学与吉安纳朴材料科技有限公司联合完成的产学研合作项目——“高纯超细非氧化物特种陶瓷粉体产业化”，在第十二届国际发明展览会“一带一路”暨金砖国家技能发展与技术创新大赛上荣获金奖，充分展现了我司在先进特种陶瓷材料领域的技术创新实力和产业化成…

二维过渡金属硫族半导体的器件性能很容易受到底层栅介质衬底的影响，介质界面的偶极效应、电荷转移会带来不可控的非故意掺杂，这也是单层二硫化钼器件经常出现阈值电压负偏移、零栅压漏电流偏大的重要诱因。六方氮化硼 hBN 虽然可以提供缺陷很少的范德华界面，几乎不会引…

新加坡国立大学领导的国际研究团队开发出一种微型忆阻型射频开关，可在无需持续供电的情况下保持工作状态，并首次将其应用于可重新配置的单片微波集成电路（MMIC）中，实现了高频信号调控。该成果有望助力5G和6G射频芯片向更小尺寸、更低功耗方向发展。相关成果发表于新一…

六方氮化硼（hBN）素有“白色石墨”之称，凭借优异的力学性能、绝缘性、耐腐蚀性及介电性能，成为高端装备、航空航天等尖端领域不可或缺的关键材料。然而，这类材料的制备长期面临一个突出难题：在致密烧结过程中，片状hBN晶粒易沿压力方向定向排列，致使材料在不同方向上…

六方氮化硼（hBN）素有“白色石墨”之称，凭借优异的力学性能、绝缘性、耐腐蚀性及介电性能，成为高端装备、航空航天等尖端领域不可或缺的关键材料。然而，这类材料的制备长期面临一个突出难题：在致密烧结过程中，片状hBN晶粒易沿压力方向定向排列，致使材料在不同方向上…

研究背景第六代移动通信（6G）预计将推动全息远程呈现、自动驾驶生态等新兴应用落地，要求核心网络将时延从当前的1 ms降至10–100 μs，并支持高达1 Tbps的数据传输速率，这将迫使无线网络向毫米波频段扩展。作为高度可重构射频系统中用于导通或阻断高频信号的基础元件，…

尽管六方氮化硼（hBN）与片上器件无缝集成，但自旋活性硼空位的光学量子产额本质上极低（VB-缺陷仍然是基于hBN的量子传感器灵敏度的一个重大限制。在这里，我们展示了一种具有增强量子产率和高直流磁场灵敏度（ηDC），通过耦合实现VB-采用纳米结构等离子体-应变微波导结…

研究概述 随着电子和光子芯片对更高计算能力和更大集成密度的需求不断增长，散热问题已成为制约芯片进一步小型化的关键瓶颈。芯片中的热失效通常起源于亚微米尺度的局部“热点”区域，而纳米尺度下组件热导率的降低进一步限制了器件在高功率密度下的运行能力。因此…

剑桥大学Manish Chhowalla和王琰研究员系统梳理了二维过渡金属硫族化合物（TMD）电子器件实用化面临的掺杂、p 型低阻接触、高 k 栅介质三大核心挑战，并指出其根源在于高密度点缺陷，强调低缺陷晶圆级制备、范德华界面工程与 CMOS 兼容介质是未来突破关键。相关工作发表在…