新加坡国立大学领导的国际研究团队开发出一种微型忆阻型射频开关，可在无需持续供电的情况下保持工作状态，并首次将其应用于可重新配置的单片微波集成电路（MMIC）中，实现了高频信号调控。该成果有望助力5G和6G射频芯片向更小尺寸、更低功耗方向发展。相关成果发表于新一…

六方氮化硼（hBN）素有“白色石墨”之称，凭借优异的力学性能、绝缘性、耐腐蚀性及介电性能，成为高端装备、航空航天等尖端领域不可或缺的关键材料。然而，这类材料的制备长期面临一个突出难题：在致密烧结过程中，片状hBN晶粒易沿压力方向定向排列，致使材料在不同方向上…

六方氮化硼（hBN）素有“白色石墨”之称，凭借优异的力学性能、绝缘性、耐腐蚀性及介电性能，成为高端装备、航空航天等尖端领域不可或缺的关键材料。然而，这类材料的制备长期面临一个突出难题：在致密烧结过程中，片状hBN晶粒易沿压力方向定向排列，致使材料在不同方向上…

研究背景第六代移动通信（6G）预计将推动全息远程呈现、自动驾驶生态等新兴应用落地，要求核心网络将时延从当前的1 ms降至10–100 μs，并支持高达1 Tbps的数据传输速率，这将迫使无线网络向毫米波频段扩展。作为高度可重构射频系统中用于导通或阻断高频信号的基础元件，…

尽管六方氮化硼（hBN）与片上器件无缝集成，但自旋活性硼空位的光学量子产额本质上极低（VB-缺陷仍然是基于hBN的量子传感器灵敏度的一个重大限制。在这里，我们展示了一种具有增强量子产率和高直流磁场灵敏度（ηDC），通过耦合实现VB-采用纳米结构等离子体-应变微波导结…

研究概述 随着电子和光子芯片对更高计算能力和更大集成密度的需求不断增长，散热问题已成为制约芯片进一步小型化的关键瓶颈。芯片中的热失效通常起源于亚微米尺度的局部“热点”区域，而纳米尺度下组件热导率的降低进一步限制了器件在高功率密度下的运行能力。因此…

剑桥大学Manish Chhowalla和王琰研究员系统梳理了二维过渡金属硫族化合物（TMD）电子器件实用化面临的掺杂、p 型低阻接触、高 k 栅介质三大核心挑战，并指出其根源在于高密度点缺陷，强调低缺陷晶圆级制备、范德华界面工程与 CMOS 兼容介质是未来突破关键。相关工作发表在…

六方氮化硼凭借其化学稳定性与可调控电子结构，作为一种固态储氢介质受到广泛关注。本综述总结了六方氮化硼纳米结构的合成方法与性能增强策略。研究证实，尽管原始六方氮化硼与氢的相互作用相对较弱，但通过结构调控、杂原子掺杂、缺陷工程与金属修饰等改性方式，可有效调…

快速工业化和日益增长的能源需求加速了无机污染物的释放，对生态系统和人类健康构成严重威胁。尽管已探索了各种水处理技术，但许多技术存在成本高、产生污泥以及在水基质中效果有限等问题。在这些技术中，吸附法因其简单性、快速动力学、高选择性和可重复使用性而成为一种…

研究背景碳化硼（B₄C）作为一种结构陶瓷材料，因其极高的硬度、低密度和优异的化学稳定性，在装甲防护、核屏蔽和精密研磨等领域具有重要应用。然而，其固有的低自扩散系数导致烧结性能极差，通常需要极高温（2250C）或使用超细、高分散的原料粉末才能实现致密化。传统的…

新兴技术的快速发展，尤其是人工智能和第三代半导体的出现，推动了高功率密度电子系统对高效热管理的需求激增。聚合物基导热复合材料兼具聚合物的柔韧性和易加工性以及无机填料的高热导率（TC），使其成为电子封装、储能和通信设备领域极具潜力的候选材料。在众多填料中，…

导读 近日，暨南大学杨先光课题组在宽禁带半导体光电器件领域取得重要进展，成功实现铟掺杂六方氮化硼 / 氮化镓（In‑doped hBN/GaN）异质结的电压调控双波段电致发光，相关成果以 “Voltage‑Controlled Dual‑Band Electroluminescence from In‑Doped hBN/GaN Heteroj…