导读六方氮化硼（h-BN）是一种具有代表性的宽禁带二维层状材料，其表面原子级平整并且没有悬挂键和带电杂质，拥有优异的机械稳定性、热稳定性和化学惰性。因为它在光电子学、量子光学和电子学领域表现出非凡的特性，目前已成为各种应用场景的低维衬底材料载体。近日，中国…

导读六方氮化硼（h-BN）是一种具有代表性的宽禁带二维层状材料，其表面原子级平整并且没有悬挂键和带电杂质，拥有优异的机械稳定性、热稳定性和化学惰性。因为它在光电子学、量子光学和电子学领域表现出非凡的特性，目前已成为各种应用场景的低维衬底材料载体。近日，中国…

为了解决高集成度电子器件中关键的热管理挑战，华南理工大学李金鹏副教授等研究团队制备一种基于导热纤维骨架的芳纶绝缘纸，该骨架构建了高效的传热网络。通过湿法纺丝将羟基化氮化硼纳米片（BNNs–OH）封装在间位芳纶（PMIA）基体中，制备出具有优异机械强度和高轴向导热…

研究背景在纳米光子学领域，范德华材料中的极化激元因其高局域性和长传播长度备受关注。六方氮化硼作为天然双曲材料，在其剩余射线带内支持体积局域的双曲声子极化激元，展现出独特的各向异性传播特性。传统纳米结构加工依赖于电子束光刻、聚焦离子束等复杂工艺，不仅流程…

研究背景随着半导体技术遵循摩尔定律的持续进步，集成电路正朝着高度集成化、微型化、高频操作和高布线密度的方向快速发展，这推动了人工智能、物联网和云计算等领域的迅猛增长。然而，这种进步也带来了热积累和信号串扰等严峻挑战，其中聚酰亚胺作为常用的介电材料，虽然…

高质量六方氮化硼（hBN）单晶因具有优异的物理化学特性，包括原子级平坦表面、宽带隙（~ 5.9 eV）、高绝缘、高面内热导率以及化学惰性等，被作为衬底和封装材料广泛应用于二维量子材料体系的构筑，是低维材料和物理领域研究新奇物理效应和研制高性能电子器件的关键基础材…

随着电子信息时代的发展，高性能的导热材料备受关注，导热复合材料的制备是获取各项性能优异的导热材料行之有效的思路之一。导热填料与基体以分散复合、表面复合、层积复合和梯度复合等方式结合在一起,形成密集的热通道,得到导热性能优异的复合材料。随着电子设备的”轻薄…

^西安电子科技大学报道了利用超宽禁带六方氮化硼（hexagonal boron nitride, hBN，一种具有六边形层状结构的二维材料，类似石墨烯，层间通过弱范德华力结合）改善铝镓氮（aluminium gallium nitride, AlGaN）高电子迁移率晶体管（high-electron-mobility transistors,…

01【研究简介】六方氮化硼（hBN）作为少数二维绝缘材料之一，对促进未来硅基电子器件和集成电路的发展具有战略意义。实现高质量、单层的hBN单晶的规模生产对于其在半导体工业中的应用至关重要。然而，化学气相沉积（CVD）合成hBN的物理机制尚未充分探索。其形态工程的研究…

六方氮化硼（h-BN）具有独特的物理化学性质，其与金属形成的界面是发展新一代电子器件、催化剂及高性能复合材料的关键。近日，天津大学张翔教授等人在Science China Materials发表综述论文，聚焦h-BN/金属体系的界面工程，系统解析原位生长与外源复合两种主要技术路径的界…

在纳米材料领域，六方氮化硼（hBN）作为一种由交替的六边形硼（B）和氮（N）原子层通过范德华力相互作用构成的原子级平坦材料，因其独特的绝缘性能，在基础科学和技术领域扮演着重要角色。hBN可作为电荷涨落平台、接触电阻层、栅极电介质、钝化层、库仑拖拽层及原子隧穿层…