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日本科学家成功在氮化硼上生长出可贴附于任意材料的Fe3O4薄膜

信息来源:本站 | 发布日期: 2022-01-19 13:44:57 | 浏览量:100506

摘要:

随着半导体技术的突飞猛进,电子元件不断趋向小型化、高速化发展,因为轻薄小巧的可穿戴元件以及可保有高性能且具有柔软性的可挠式元件成为了最受瞩目的电子科技产品。近年来,为了将与开关元件相关的机能性材料的特性应用于穿戴式元件或可挠性元件,对于可贴附元件的需求…

随着半导体技术的突飞猛进,电子元件不断趋向小型化、高速化发展,因为轻薄小巧的可穿戴元件以及可保有高性能且具有柔软性的可挠式元件成为了最受瞩目的电子科技产品。


近年来,为了将与开关元件相关的机能性材料的特性应用于穿戴式元件或可挠性元件,对于可贴附元件的需求不断增加。另一方面,机能性氧化物Fe3O4具有电阻、磁化率等电/磁特性在-160℃左右发生显著变化的特性,因此在开关元件方面的应用研究也持续推展中。

然而在制作Fe3O4薄膜时,通常是在氧化镁等硬质基材上生长薄膜,除了可用于薄膜生长的基板种类有所限制之外,从基板上剥离薄膜并将其贴附到各种场所也很困难。不过科技在发展,目前相关技术已经有了新突破。

据外网报道,大阪大学产业科学研究所的研究人员已成功通过在薄片状的六方氮化硼(hBN)上生长磁铁矿(Fe3O4)薄膜的方式,制作出可贴附于任意材料上的Fe3O4薄膜。通过该工艺生长的Fe3O4薄膜不仅原子整齐排列,而且具有优异的相转移特性,无论移动、贴附到什么地方,其相转移特性也不会劣化。


hBN上Fe3O4薄膜的剥离和粘贴示意图
报道称,大阪大学的研究成果可望有助于Fe3O4以外的机能性氧化物薄膜的自由生长,使它们也有望应用于制作可贴附元件中,这对机能性氧化物在穿戴式、可挠式元件领域的应用开发具有重要意义。

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