六方氮化硼基纳米材料的制备及其导热应用

5G技术的发展，促使电子设备向高频化、多功能化、小型化和集成化发展，这就给5G电子设备的印刷电路板、组成部件、封装、防护等方面提出了更高的要求，如部分部件要求材料兼具高导热性、低介电性、高柔韧性、优异的绝缘性等等。六方氮化硼基材料因其优异的机械强度、卓越的导热性、较低的密度、低介电性、优异的绝缘性以及突出的化学稳定性和高温抗氧化性，被看作5G用理想的复合材料之一。

然而，六方氮化硼基材料的性能与其结构、组成等密切相关，在h-BN的应用研究中，有一个关键的问题是，通常其理想结构中并没有可用于键合改性的官能团或活性位点，这就造成在实际使用中，可能会有在基体中分散性差、对性能提升不明显等问题。因此，如何调控六方氮化硼基材料的结构和组成，优化其性能，就成为其能否满足不同性能5G材料需求的关键问题之一，其制备改性手段多样，不同厂商的产品性能差异较大。

在h-BN制备过程中会在其边缘引入少量的官能团，但这些官能团数量过少，对于实际应用问题的改善不明显，因此除了在制备过程中对材料结构实现一部分调控，也有必要进行更有针对性的功能化改性。目前h-BN功能化改性的方法较多，例如通过各类物理化学手段可以为h-BN修饰上—OH、醚键(—OR)、—NH2、烷基(—R)、卤素(—X)和杂原子(C和O)等基团。从改性原理和改性产物的结构看，h-BN的功能化过程中均涉B-N键的打开，将相应的基团也应连接到未配对的B或N原子上，从而引入多样化的功能性基团改善h-BN的综合性能。