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六方氮化硼基纳米材料的制备及其导热应用

信息来源:本站 | 发布日期: 2022-01-08 13:14:40 | 浏览量:179783

摘要:

一一

5G技术的发展,促使电子设备向高频化、多功能化、小型化和集成化发展,这就给5G电子设备的印刷电路板、组成部件、封装、防护等方面提出了更高的要求,如部分部件要求材料兼具高导热性、低介电性、高柔韧性、优异的绝缘性等等。六方氮化硼基材料因其优异的机械强度、卓越的导热性、较低的密度、低介电性、优异的绝缘性以及突出的化学稳定性和高温抗氧化性,被看作5G用理想的复合材料之一。

然而,六方氮化硼基材料的性能与其结构、组成等密切相关,在h-BN的应用研究中,有一个关键的问题是,通常其理想结构中并没有可用于键合改性的官能团或活性位点,这就造成在实际使用中,可能会有在基体中分散性差、对性能提升不明显等问题。因此,如何调控六方氮化硼基材料的结构和组成,优化其性能,就成为其能否满足不同性能5G材料需求的关键问题之一,其制备改性手段多样,不同厂商的产品性能差异较大。

在h-BN制备过程中会在其边缘引入少量的官能团,但这些官能团数量过少,对于实际应用问题的改善不明显,因此除了在制备过程中对材料结构实现一部分调控,也有必要进行更有针对性的功能化改性。目前h-BN功能化改性的方法较多,例如通过各类物理化学手段可以为h-BN修饰上—OH、醚键(—OR)、—NH2、烷基(—R)、卤素(—X)和杂原子(C和O)等基团。从改性原理和改性产物的结构看,h-BN的功能化过程中均涉B-N键的打开,将相应的基团也应连接到未配对的B或N原子上,从而引入多样化的功能性基团改善h-BN的综合性能。

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