不同粒径碳化硅粉体的复合烧结与表征

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碳化硅（SiC）陶瓷具有质量轻、高硬度、高强度、耐酸碱和耐高温等特点，被广泛应用于耐磨耐热元件、防腐蚀材料、废水过滤膜、防弹装甲、船舶及航天材料等领域。

碳化硅的烧结条件^苛刻，需在惰性气体保护条件下或在真空气氛中于1900～2200℃中进行烧结。多孔SiC陶瓷可通过反应键合和液相烧结在低烧结温度下制备。通过对反应键合和液相烧结的SiC陶瓷在腐蚀性溶液中的行为进行的研究表明，残留的Si和烧结添加剂对SiC陶瓷的耐腐蚀性有害，因此，选用合适的烧结添加剂显得^重要。氮化硅(Si3N4)结合SiC材料具有机械强度高，导热性好，热膨胀系数小，抗热震性好，抗渣侵蚀性好等优点。而在本篇报道中，使用Si3N4为烧结助剂，通过采用粗SiC粉（平均粒径8.7um）和细SiC粉（平均粒径1.2um）级配的方法，探讨不同粒径的SiC粉料的复合烧结对陶瓷部分性质的影响。

1.细粉的质量分数对SiC陶瓷相对密度的影响

图1是不同样品的密度和相对密度的折线图，由图1可以看出，各样品的相对密度随细粉质量分数的增加呈现先增大后减小的趋势，细粉质量分数为40%时出现了峰值，^相对密度值为61.56%，其次是60%，20%，0%，相对密度依次减小。所以，细粉的添加量对SiC陶瓷的相对密度有影响，细粉添加太多和太少都不能使SiC陶瓷达到最致密，只有当粗细粉质量分数达到一定程度（40%左右）时，样品最为致密。