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清华大学谢志鹏团队:放电等离子低温烧结BN-SiC复相陶瓷的结构与力学性能
信息来源:本站 | 发布日期: 2025-07-21 09:03:26 | 浏览量:203581
前 言六方氮化硼(h-BN)具有类似于石墨的独特层状结构和优异的综合性能,如优良的抗热震稳定性、高热导率、低热膨胀系数、良好的化学稳定性和易加工等优点,是一种^吸引力的高温陶瓷材料,目前已在非晶合金喷嘴、热电偶保护管以及水平连铸分离环等高温环境中应用。但由…
六方氮化硼(h-BN)具有类似于石墨的独特层状结构和优异的综合性能,如优良的抗热震稳定性、高热导率、低热膨胀系数、良好的化学稳定性和易加工等优点,是一种^吸引力的高温陶瓷材料,目前已在非晶合金喷嘴、热电偶保护管以及水平连铸分离环等高温环境中应用。但由于h-BN为极强的共价键结合,难以烧结和获得高致密的烧结体。
在h-BN陶瓷基体中引入SiC就是一种非常有效的解决途径,在形成的h-BN-SiC复相陶瓷中,能充分发挥两相的性能优点。其中,h-BN能够起到增韧作用,提高复相陶瓷的抗热震性、抗腐蚀性、可靠性及机加工性,而且在高温时增韧效果更好;SiC则能够提高强度和抗热冲击性能。相比于SiC成分为主的复相陶瓷,h-BN含量为主,能够使h-BN-SiC复相陶瓷材料抗热震性更佳,而SiC作为第二相的存在,使得h-BN-SiC复相陶瓷相比于单一相的h-BN陶瓷硬度和耐磨性都得到显著提高。
本文以纳米h-BN为基体材料、硬质SiC为第二相、B2O3为烧结助剂,利用放电等离子烧结(SPS)低温制备h-BN-SiC复相陶瓷,研究了烧结压力对h-BN-SiC复相陶瓷的致密化、微观结构及力学性能的影响。
样品制备
h-BN粉纯度≥99%(质量分数),平均粒径小于1μm,B2O3含量约为0.23%;纳米SiC粉纯度≥99%,平均粒径为40nm;B2O3粉纯度≥98%。在配制的烧结混合粉料中,h-BN含量为70%(质量分数),SiC含量为25%,烧结助剂B2O3为5%。将各原料按预定配比称量后放入球磨罐中,加入氧化锆磨球和无水乙醇用球磨机球磨24h,之后将球磨好的混合料进行干燥、过筛、造粒,最后将混合粉料装入石墨模具中,用SPS-1050T烧结炉在真空气氛下进行低温热压快速烧结,烧结温度为1600℃,烧结压力分别为20、30、40和50MPa,保温时间为10min,烧结后的试样经切割、研磨、抛光后进行性能表征。
样品表征
1、物相及h-BN织构化分析
由图1a可以看出,不同压力烧结的复相陶瓷中物相组成基本相同,主要相均为h-BN和SiC,无其它新相生成。这说明h-BN与SiC在烧结过程中并未发生明显的化学反应,样品内部晶粒主要由h-BN和SiC组成。进一步分析可知,SiC主要以3C-SiC和6H-SiC晶型存在。
图1b为烧结温度在1600 ℃时,h-BN-SiC复相陶瓷IOP值随烧结压力的变化关系。从图1b可以看出,总体上h-BN片状晶粒的c轴倾向于平行压力方向,但在烧结压力从20MPa增大到30MPa时,显气孔率快速降低,提高了致密度,促进了h-BN片状晶粒的重新排列,使更多h-BN片状晶粒的c轴与压力方向平行。
从图2可以看出,大多数片状h-BN晶粒直径小于1μm,厚度约为0.1μm,不同烧结压力样品的断口均凹凸不平,为典型的沿晶断裂模式。由于SiC含量少,SiC晶粒被包裹在h-BN片层中,断裂面上仅能看到极少数SiC晶粒。
SiC硬颗粒宏观上弥散分布于h-BN基体中,一方面起到晶粒强化作用;另一方面当裂纹^在扩展过程中遇到SiC晶粒,裂纹^会在晶粒表面发生偏转,增加断裂功的消耗,从而提高h-BN-SiC复相陶瓷的力学性能。
图3为h-BN-SiC复相陶瓷样品的相对密度和显气孔率随烧结压力变化曲线。由图3可以看出,随烧结压力升高,h-BN-SiC复相陶瓷的致密化程度提高。这说明增大烧结压力能够提高颗粒扩散的动力,加快气体排出,促进颗粒移动和颗粒之间的重新排列,从而促进h-BN-SiC复相陶瓷的烧结和致密化,但是,过大的烧结压力对h-BN-SiC复相陶瓷的致密化影响较小。
从图4可以看出,增大烧结压力提高了复相陶瓷的力学性能,但在烧结压力超过40MPa后,抗弯强度变化不显著,仅增加了1.1%,而断裂韧性值则有明显降低。
从图5可以看出,由于SiC颗粒的存在,严重阻碍了h-BN片状晶粒的方向性排列,而h-BN片状晶粒也抑制了SiC颗粒的长大,使得SiC颗粒比较细小,一方面起到了弥散强化的作用,另一方面又可以填充h-BN片状晶粒因互相支持形成的空隙,从而提高复相陶瓷的致密度和抗弯强度。
利用SPS低温烧结制备了h-BN-SiC复相陶瓷,通过调节烧结压力获得了致密化和力学性能均较好的复相陶瓷材料。不同烧结压力制备的复相陶瓷中h-BN晶粒的c轴倾向于平行压力方向,增大烧结压力能够提高h-BN-SiC复相陶瓷的致密化和力学性能,但较大的烧结压力(>40MPa)对复相陶瓷的致密度和力学性能影响较小,而且会降低h-BN晶粒的c轴倾向于平行压力方向的取向度和断裂韧性。在烧结压力为40MPa时复相陶瓷获得了较佳的综合性能,相对密度、抗弯强度和断裂韧性分别达到98%、289.2MPa和3.45MPa·m1/2。不同烧结压力制备的h-BN-SiC复相陶瓷的断裂均为典型的沿晶断裂,微裂纹及裂纹偏转提高了复相陶瓷的断裂韧性。
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