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苏州纳朴材料科技有限公司
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苏州市相城区聚茂街185号D栋11层1102
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江西省吉安市井冈山经济技术开发区
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Jinggangshan Economic Development Zone, Ji' an 343000, Jiangxi, China
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2020-10-16 08:33:39
近年来,二维半导体材料因其突出的光学和电学特性吸引了大量的关注和研究。除了是良好的导体和强光吸收剂外,它们还耐用并且可以弯曲而不会断裂,很可能在未来对从量子通信到柔性电子学的许多应用产生重大影响。工业界和学术界都在寻求能够以更低的功耗实现更快,更高效的…
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2020-10-16 08:31:37
早前,据俄媒报道,莫斯科钢铁冶金学院(NUST MISIS)的科学家与北京交通大学、澳大利亚昆士兰科技大学以及日本国立材料科学研究所的同事们一起开发出一项技术,制成厚度为一个分子的氮化硼新型半导体材料。这项发现可用于制造纳米处理器,它是现有处理器的千分之一。 据…
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2020-10-16 08:29:19
正基于硼半导体的固体中子探测器结构紧凑、探测效率高,具有较强的吸引力。氮化硼(BN)晶体是一种宽禁带半导体材料,禁带宽度为6.1~6.4eV,属于间接带隙,通过掺杂可得到P型和N型的半导体材料。氮化硼材料具有立方氮化硼(cBN)、六方氮化硼(hBN)、三方氮化硼(rBN)、纤维锌矿结…
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2020-10-16 08:27:57
中科院物理所采用化学气相沉积法研制成功了N型氮化硼半导体纳米管。氮化硼具有优异的物理性质和良好的化学惰性,是制作高可靠性器件与电路的理想电子材料之一。与碳纳米管的电子结构明显依赖于管径与螺旋度等因素不同,氮化硼纳米管通常表现出稳定一致的电学特性。而实现氮…
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2020-10-15 08:46:55
^科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员吴天如团队和华东师范大学教授袁清红团队,基于原位合成、表征研究与^性原理计算方法,提出铁硼(Fe2B)合金表面高质量多层六方氮化硼(h-BN)原子空位辅助生长新机制。相关研究成果近日在线发表于《物理化学快报》。h-B…
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2020-10-15 08:45:57
近日,^科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员吴天如研究团队和华东师范大学教授袁清红研究团队,基于原位合成、表征研究与^性原理计算方法,提出铁硼(Fe2B)合金表面高质量多层六方氮化硼(h-BN)原子空位辅助生长新机制。相关研究成果以Vacancy-Assisted Gr…
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2020-10-14 13:30:09
用氮气、含硼合金催化可控制备大面积六方氮化硼(h-BN)已成为现实,但是对于这种生长机制的系统研究还很少,这阻碍了大尺寸、高质量h-BN可控合成与实际应用。近日,^科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员吴天如研究团队和华东师范大学教授袁清红研究团队,基于原…
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2020-10-10 13:03:05
一种表面垂直生长氮化硼纳米片的氮化硼微纳米棒及其制备方法。将氧化硼粉末和金属镁粉按摩尔比1:0.5~1:1.5混合,放置于容器中,在容器上部中央位置放置一块金属网;将容器放置于管式气氛保护退火炉中,向该退火炉中通入保护气氛,从常温开始升温,升温速率为5~80℃/min…
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2020-09-27 09:06:45
大化所傅强JACS:金属与惰性氮化硼载体之间的金属-载体强相互作用通讯单位:^科学院大连化学物理研究所论文DOI:10.1021/jacs.0c08139全文速览金属-载体强相互作用(Strong Metal-Support Interaction, SMSI)是多相催化研究中的一个经典概念,这一现象^在惰性六方…
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2020-09-25 16:20:53
改性氮化硼纳米片的制备方法及改性氮化硼纳米片的应用1.一种改性氮化硼纳米片的制备方法,其特征在于,所述制备方法为:将吡咯和表面活性剂溶于有机溶剂中,进行超声搅拌,超声搅拌后加入氮化硼纳米片,然后再次进行超声搅拌得到混合溶液,将混合溶液在冰浴条件下加入氧化…
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2020-09-23 12:44:04
1.一种表面垂直生长氮化硼纳米片的氮化硼微纳米棒,其特征在于,包括氮化硼微纳米棒,氮化硼微纳米棒不规则弯曲,截面为圆形,表面覆盖有多个垂直向外延伸的氮化硼纳米片。译2.根据权利要求1所述的表面垂直生长氮化硼纳米片的氮化硼微纳米棒,其特征在于,氮化硼微纳米棒…
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2020-09-17 16:32:40
氮化硼纳米膜将替代抗生素 以防止细菌和真菌感染NUST MISIS材料科学家提出了基于氮化硼的抗菌纳米涂层,该涂层对微生物病原体非常有效(高达99.99%)。由于它们没有典型的不良副作用,它们可以成为种植学中常用抗生素的安全替代品。工作结果发表在ACS Applied Materials&am…