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一种六方氮化硼薄膜生长方法及六方氮化硼薄膜
信息来源:本站 | 发布日期: 2020-12-22 13:43:54 | 浏览量:760531
一种六方氮化硼薄膜生长方法及六方氮化硼薄膜译技术领域译[0001] 本发明涉及半导体材料生长技术领域,特别涉及一种六方氮化硼薄膜生长方法及六方氮化硼薄膜。译背景技术译[0002] 氮化硼(BN)是一种重要的III-V族半导体材料,具有很多优良的性质,在许多领域都有很多的应用…
一种六方氮化硼薄膜生长方法及六方氮化硼薄膜
技术领域
背景技术
[0004] 大面积、高结晶质量的h-BN薄膜难以获得的主要原因与其生长方式有关,BN薄膜的生长一般有三种模式:层状生长、岛状生长和层-岛状生长,这其中层状生长对沉积条件、沉积方法和衬底材料的选择都有较高的要求,如对于衬底材料的选择而言,层状生长要求薄膜材料与衬底材料有着相近的点阵常数,相近的化学性质,并且薄膜原子与衬底原子之间的结合力需大于薄膜原子之间的结合力等等,因此要获得面积大、结晶质量优异并且c轴取向优异的h-BN还难以做到。
发明内容
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