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氮化硼(cBN)在电子设备的热管理中已有应用
信息来源:本站 | 发布日期: 2021-01-05 09:01:36 | 浏览量:777486
超高的热导率和6.2 eV的宽禁带带隙,使立方氮化硼在微电子材料热管理、高功率电子和光电器件等方面表现出潜在的应用前景电子设备的热管理需要能够有效散热的材料,金刚石2000W/mK的热导率仍然是导热系数最高的块状材料。碳基材料(石墨烯、碳纳米管、金刚石、石墨等)在电…
电子设备的热管理需要能够有效散热的材料,金刚石2000W/mK的热导率仍然是导热系数最高的块状材料。碳基材料(石墨烯、碳纳米管、金刚石、石墨等)在电子设备的热管理中已有应用,可并没有带来令人惊喜的效果,人们依然在优化和研发更高效的散热材料和解决方案。
近日,来自美国麻省理工学院的陈刚教授、波士顿大学的David Broido教授和已入职北京大学的宋柏特聘研究员(共同通讯作者)联合报道了他们的研究成果[1],通过实验表征,发现包含约99%B-10 或B-11同位素富集的纯立方氮化硼(cBN),在室温下热导率达到1600 W/mK,是金刚石的75%。
立方氮化硼晶体
立方氮化硼、砷化硼及金刚石等在不同温度下的热导率
超高的热导率和6.2 eV的宽禁带带隙,使立方氮化硼在微电子材料热管理、高功率电子和光电器件等方面表现出潜在的应用前景。
在2018年,来自美国的多个大学实验室[2] [3] [4],通过不同方法独立制备出热导率可以媲美金刚石的砷化硼晶体,热导率可达900 W/mK~1300 W/mK,而预测的理论值甚至可高达2200 W/mK,价格却比金刚石更便宜。
3.5mm的砷化硼晶体,来自休斯顿大学研究组[4]
热是由声子(晶格振动)负责承载,而砷和硼本身的质量差异,造成声学声子和光学声子存在较大的频率间隙,此特性让热在晶体之间的传导更具效率。
在半导体领域,砷化硼晶体和硅半导体具有类似的1.5 ev带隙,热膨胀系数也接近,当整合进入半导体器件时,由于热应力的降低,可以减少热界面材料的使用量。
而在2019年,3C龙头大厂Acer 发布了一款热界面材料Predator PowerGem(导热膏)。
Acer表示,PowerGem热导率大约在 1500 W/mK左右,垂直方向热传导率为市面导热膏的3.83倍,液态金属导热膏的主要成分镓的热导率40.6W/mK和其相比实在是相形见绌。
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