氮化硼（cBN）在电子设备的热管理中已有应用

超高的热导率和6.2 eV的宽禁带带隙，使立方氮化硼在微电子材料热管理、高功率电子和光电器件等方面表现出潜在的应用前景
电子设备的热管理需要能够有效散热的材料，金刚石2000W/mK的热导率仍然是导热系数^的块状材料。碳基材料（石墨烯、碳纳米管、金刚石、石墨等）在电子设备的热管理中已有应用，可并没有带来令人惊喜的效果，人们依然在优化和研发更高效的散热材料和解决方案。
近日，来自美国麻省理工学院的陈刚教授、波士顿大学的David Broido教授和已入职北京大学的宋柏特聘研究员（共同通讯作者）联合报道了他们的研究成果[1]，通过实验表征，发现包含约99%B-10 或B-11同位素富集的纯立方氮化硼（cBN），在室温下热导率达到1600 W/mK，是金刚石的75%。
立方氮化硼晶体
立方氮化硼、砷化硼及金刚石等在不同温度下的热导率
超高的热导率和6.2 eV的宽禁带带隙，使立方氮化硼在微电子材料热管理、高功率电子和光电器件等方面表现出潜在的应用前景。
在2018年，来自美国的多个大学实验室[2] [3] [4]，通过不同方法独立制备出热导率可以媲美金刚石的砷化硼晶体，热导率可达900 W/mK～1300 W/mK，而预测的理论值甚至可高达2200 W/mK，价格却比金刚石更便宜。
3.5mm的砷化硼晶体，来自休斯顿大学研究组[4]
热是由声子（晶格振动）负责承载，而砷和硼本身的质量差异，造成声学声子和光学声子存在较大的频率间隙，此特性让热在晶体之间的传导更具效率。
在半导体领域，砷化硼晶体和硅半导体具有类似的1.5 ev带隙，热膨胀系数也接近，当整合进入半导体器件时，由于热应力的降低，可以减少热界面材料的使用量。
而在2019年，3C龙头大厂Acer 发布了一款热界面材料Predator PowerGem（导热膏）。
Acer表示，PowerGem热导率大约在 1500 W/mK左右，垂直方向热传导率为市面导热膏的3.83倍，液态金属导热膏的主要成分镓的热导率40.6W/mK和其相比实在是相形见绌。