- 新闻中心
- news Center
- 联系我们
- Contact Us
苏州纳朴材料科技有限公司
- 联系人：
李女士
- Contact:
Ms. Li
- 手机：
18970647474(同微信)
- Mobile Phone:
+86-18970647474
(WeChat ID)
- 邮箱：
- E-mail:
2497636860@qq.com
- 技术联系人：
徐先生
- Technical Contact:
Mr. Xu
- 手机：
15607960267(同微信)
- Mobile Phone:
+86-15607960267
(WeChat ID)
- 邮箱：
- E-mail:
nanopure@qq.com
- 办公室地址：
苏州市相城区聚茂街185号D栋11层1102
- Office Address:
D-1102, 185, Jumao Street, Xiangcheng, Suzhou, Jiansu, China
- 工厂地址：
江西省吉安市井冈山经济技术开发区
- Plant Address:
Jinggangshan Economic Development Zone, Ji' an 343000, Jiangxi, China
六方相-氮化硼(h-BN)二维材料MOCVD制备技术探索研究招标公告
信息来源：本站 | 发布日期： 2021-05-24 13:10:39 | 浏览量：1425562
研究目标与内容：范德华(vdW)二维异质结不依赖于化学键，也不受限于材料的晶格匹配度，能够将具有完全不同性能的材料集成到一起构建全新的界面，有利于创建更广泛的材料构筑单X，实现多种新型电子X件。实现vdW二维异质结的前提是研制高性能二维材料。二维材料h-BN具有原子…
研究目标与内容：
范德华(vdW)二维异质结不依赖于化学键，也不受限于材料的晶格匹配度，能够将具有完全不同性能的材料集成到一起构建全新的界面，有利于创建更广泛的材料构筑单X，实现多种新型电子X件。实现vdW二维异质结的前提是研制高性能二维材料。二维材料h-BN具有原子层级的平X表面、低介电系数、高化学和热稳定性、介电强度高等特点，与单层石墨烯等结合形成vdW异质结，具有杂化等离子-声子模型的特性，可用于室温超导体、新型场效应管、能量收集器等。基于X在蓝宝石等单晶衬底上开展h-BN材料的生长工艺及各类微结构缺陷的形成演变研究，探索不同生长模式的外延模型及物理机制，实现晶圆级二维h-BN材料的研制；同时建立h-BN材料质量及性能的表征技术，揭示材料的微观内在特性；并研究GaN HEMT外延材料在二维h-BN表面生长机理，在h-BN表面实现高性能GaN HEMT外延材料，为无损vdW衬底转移技术及提升GaN微波器件性能奠定材料基础。
项目指标：
（1）二维h-BN材料原子层数≤5-6层，5μm*5μm AFM表面粗糙度≤0.5nm，拉曼光谱E2g模式h-BN半高宽≤X cm-1； （2）在二维h-BN材料表面研制的GaN HEMT外延材料，5μm*5μm AFM表面粗糙度≤0.8nm，2μm厚GaN(X)/(X)晶面x射线双晶摇摆曲线半高宽X别≤0.X°和≤0.X°，圆片弯曲度Bow≤Xμm，2DEG迁移率≥X cm2/(V·s)。
-
2026-03-30 09:10:36
随着电子器件向轻薄化、集成化和高性能化方向快速发展，高效热管理成为保障设备可靠性与使用寿命的关键。在众多导热填料中，氮化硼（特别是六方氮化硼，…
-
2026-03-23 08:09:03
近日，一项发表于《自然通讯》（Nature Communications）的研究报道了同位素纯化六方氮化硼（h⁰BN）在热输运领域的突破性发现。研究团队通过精密实验测…
-
2026-03-16 09:59:05
随着电子器件向轻薄化、集成化和高性能化方向快速发展，高效热管理成为保障设备可靠性与使用寿命的关键。在众多导热填料中，氮化硼（特别是六方氮化硼，…
-
2026-03-09 08:16:32
2026年2月19日，Nat. Synth.在线发表了上海交通大学吴天如副研究员、高文旆副教授和华东师范大学袁清红研究员课题组的研究论文，题目为《Melting-assis…
-
2026-03-03 09:05:35
在固体材料中，电子自旋与光学跃迁耦合已成为发展自旋量子技术的一个极具前景的平台。最近，六方氮化硼作为一种有前途的光学可寻址自旋系统宿主材料脱颖…
-
2026-02-26 10:17:10
氮化硼材料的高导热+强绝缘，完美适配5G射频芯片、新能源电池、半导体封装等高功率场景，是高性能绝缘导热材料的首选，为高功率电子设备热管理提供新的…
