该研究由法国巴黎-萨克雷大学及法国国家科学研究中心（CNRS）主导，并联合美国等多国科研机构合作完成。

在这项工作中，研究人员结合悬空微桥技术与拉曼光谱，对悬空的单同位素六方氮化硼异质结构进行了温度分布测量。实验结果显示，其室温热导率超过1650 W/(m·K)，显著高于以往报道的数值。这一结果表明，实验测量条件对热导率的评估具有关键影响，也提示此前研究可能低估了该材料的导热能力。

这项工作中使用的氮化硼，与传统样品的核心区别在于“同位素纯化”。

通常情况下，天然六方氮化硼（hBN）中的硼元素由两种稳定同位素混合组成（¹⁰B 和 ¹¹B）。这种“混合”会在晶格中引入额外的不均匀性，从而增强声子散射，限制热量的高效传输。

而在这项研究中，研究团队使用的是单一同位素的六方氮化硼（h¹⁰BN），也就是通过材料制备过程对硼同位素进行了富集和纯化，使晶体中几乎只含有 ¹⁰B。这种处理显著减少了晶格中的“同位素无序”，从而降低了声子散射。

除了同位素纯化外，实验还采用了悬空结构（suspended microbridge），即将材料从基底上“架空”，以避免基底对热传导的干扰，从而测得更接近材料本征的热导率。

为了提高分析精度，研究团队在实验中引入了更多测量数据点，并对热输运模型进行了优化，使其精度超越传统方法。基于改进后的模型，研究人员发现该材料的热传输行为在不同温区呈现出明显差异：当温度高于300K时，温度分布基本呈线性，符合经典傅里叶定律所描述的扩散机制；而当温度低于300K时，温度分布则明显偏离线性，表现出非扩散特征。

这一现象表明，在低温条件下，热量在材料中的传播方式不再遵循传统的“扩散”图景，而可能涉及更复杂的输运机制。这一发现挑战了长期以来基于傅里叶定律建立的热输运理论框架，也凸显了在二维材料体系中重新审视热传导机理的必要性。

研究人员指出，这项工作不仅为理解二维材料中的热输运提供了新的实验依据，也为未来建立更完善的理论模型奠定了基础。同时，该研究提出了一种结合拉曼温度映射、测量点数量控制以及热学模拟的实用方法框架，可用于更可靠地评估二维材料的面内热导率。

随着电子器件不断向微型化和高集成度发展，材料的散热性能愈发关键。该研究所揭示的超高导热能力及其非常规热输运特性，有望为新一代热管理技术提供重要参考，并推动纳米尺度热工程领域的进一步发展。