- 新闻中心
- news Center
- 联系我们
- Contact Us
苏州纳朴材料科技有限公司
- 联系人:
李女士
- Contact:
Ms. Li
- 手机:
18970647474(同微信)
- Mobile Phone:
+86-18970647474
(WeChat ID)
- 邮箱:
- E-mail:
2497636860@qq.com
- 办公室地址:
苏州市相城区聚茂街185号D栋11层1102
- Office Address:
D-1102, 185, Jumao Street, Xiangcheng, Suzhou, Jiansu, China
- 工厂地址:
江西省吉安市井冈山经济技术开发区
- Plant Address:
Jinggangshan Economic Development Zone, Ji' an 343000, Jiangxi, China
高结晶度氮化硼纳米片的制备及其与聚乙烯醇复合薄膜的性能
信息来源:本站 | 发布日期: 2020-07-20 09:24:15 | 浏览量:1478115
高结晶度氮化硼纳米片的制备及其与聚乙烯醇复合薄膜的性能自2004年^以石墨为原料分离制备出石墨烯以来,以石墨烯为代表的各种二维纳米材料日渐成为研究的热点[1]。作为III-V主族化合物的氮化硼主要有六方(h-BN)、立方(c-BN),菱方(r-BN)和纤锌矿(w-BN)[2]四种稳定结构,其…
高结晶度氮化硼纳米片的制备及其与聚乙烯醇复合薄膜的性能
自2004年^以石墨为原料分离制备出石墨烯以来,以石墨烯为代表的各种二维纳米材料日渐成为研究的热点[1]。作为III-V主族化合物的氮化硼主要有六方(h-BN)、立方(c-BN),菱方(r-BN)和纤锌矿(w-BN)[2]四种稳定结构,其中h-BN具有与石墨^相似的层状结构,其单层厚度约0.4 nm,层内B和N原子通过sp2杂化形成蜂窝状六元环结构,而层与层之间通过范德华力结合[3]。h-BN纳米片(BNNSs)具有^优异的绝缘性、化学稳定性、生物相容性以及热学性能[4-12],在航空航天、生物医药、减摩以及半导体等领域[13-18]都展现出极其广阔的应用前景。迄今人们已经探索出多种制备氮化硼纳米材料的技术和方法,如:微机械剥离法[19]、涡流液体剥离法[20]、超声法[21]、化学气相沉积(CVD)[22]与外延生长[23]等。上述方法虽各具优点,但在大规模制备稳定的BNNSs方面均存在一定局限性。因此,如何获得质量稳定的BNNSs一直是BNNSs的研究热点之一。本工作以硼酸镁纳米片为模板、前驱体和硼源,采用CVD方法制备出高结晶度BNNSs,在对其结构、形貌和尺寸进行研究的基础上以其为填充料制备了不同添加量的BNNSs/PVA复合材料薄膜,并研究了其力学性能和导热性能。1实验方法1.1水热法合成硼酸镁纳米片称取0.76 g六水合硝酸镁和1.6 g聚乙烯吡咯烷酮(PVP)放入烧杯,加入54 mL去离子水,搅拌至两者完全溶解。加入4 mL浓度为0.6 mol·L?1的硼砂水溶液,搅拌2~3 h。将上述溶液转移至聚四氟乙烯高压反应釜,填充度约75%。将反应釜密闭好放入烘箱,升温至80℃反应24 h后取出自然冷却至室温,得到大量白色沉淀。用去离子水将样品离心洗涤5次以上,在60℃下烘干并在650℃下空气退火4 h,得到结晶的硼酸镁粉体。1.2 CVD合成氮化硼纳米片将合成的硼酸镁粉体放入管式气氛炉,通入氩气作为保护气,升温至1300℃后通入氨气,保温反应2 h后随炉冷却至室温,得到白色固体粉末。
-
2026-06-15 08:25:16
剑桥大学Manish Chhowalla和王琰研究员系统梳理了二维过渡金属硫族化合物(TMD)电子器件实用化面临的掺杂、p 型低阻接触、高 k 栅介质三大核心挑战,并…
-
2026-06-06 14:35:17
六方氮化硼凭借其化学稳定性与可调控电子结构,作为一种固态储氢介质受到广泛关注。本综述总结了六方氮化硼纳米结构的合成方法与性能增强策略。研究证实…
-
2026-05-30 09:44:03
快速工业化和日益增长的能源需求加速了无机污染物的释放,对生态系统和人类健康构成严重威胁。尽管已探索了各种水处理技术,但许多技术存在成本高、产生…
-
2026-05-11 08:48:17
研究背景碳化硼(B₄C)作为一种结构陶瓷材料,因其极高的硬度、低密度和优异的化学稳定性,在装甲防护、核屏蔽和精密研磨等领域具有重要应用。然而,其…
-
2026-05-08 08:18:20
新兴技术的快速发展,尤其是人工智能和第三代半导体的出现,推动了高功率密度电子系统对高效热管理的需求激增。聚合物基导热复合材料兼具聚合物的柔韧性…
-
2026-05-05 08:33:42
导读 近日,暨南大学杨先光课题组在宽禁带半导体光电器件领域取得重要进展,成功实现铟掺杂六方氮化硼 / 氮化镓(In‑doped hBN/GaN)异质结的电压调控…