- 新闻中心
- news Center
- 联系我们
- Contact Us
苏州纳朴材料科技有限公司
- 联系人:
李女士
- Contact:
Ms. Li
- 手机:
18970647474(同微信)
- Mobile Phone:
+86-18970647474
(WeChat ID)
- 邮箱:
- E-mail:
2497636860@qq.com
- 办公室地址:
苏州市相城区聚茂街185号D栋11层1102
- Office Address:
D-1102, 185, Jumao Street, Xiangcheng, Suzhou, Jiansu, China
- 工厂地址:
江西省吉安市井冈山经济技术开发区
- Plant Address:
Jinggangshan Economic Development Zone, Ji' an 343000, Jiangxi, China
白石墨烯^Science,晶圆级单晶hBN问世!
信息来源:本站 | 发布日期: 2018-11-20 14:11:28 | 浏览量:1477173
研究背景 hBN,六方氮化硼,又称白石墨烯,是由N和B原子形成的原子级超薄二维材料。和石墨烯优异的导电性能不一样的是,hNB具有优异的绝缘性能,因此在诸多研究领域表现出色。 工欲善其事,必先利其器。高品质hNB的合成,是进行更深入的研究,尽快实现实际应用…
hBN,六方氮化硼,又称白石墨烯,是由N和B原子形成的原子级超薄二维材料。和石墨烯优异的导电性能不一样的是,hNB具有优异的绝缘性能,因此在诸多研究领域表现出色。
工欲善其事,必先利其器。高品质hNB的合成,是进行更深入的研究,尽快实现实际应用的根本。虽然微米尺寸的多晶hBN 已经实现,但是大量的晶界导致电荷散射,位点捕获,从而阻碍器件性能。
成果介绍
有鉴于此,韩国Soo Min Kim以及 Young Hee Lee4, Ki Kang Kim等人合作,报道了一种制备晶圆级单晶hNB单层薄膜的新策略。
方法
1. 1100℃使金液化,然后固定于固态的W箔上。平面液态Au具有高表面张力,可以实现对硼吖嗪前驱体的强吸附。
2. N和B原子在液态金中的溶解度有限,分别为0%和0.5%。从而促进了高温条件下液体表面吸附原子的高扩散率,形成圆形的hNB晶粒。
3.由于晶粒之间的静电相互作用力,圆形的hNB晶粒发生旋转,导致B和N边界发生自准直行为,促使圆形晶粒进一步演变成密堆积的单一晶粒,最终形成晶圆级单晶hNB单层膜。
拓展
基于这种优质的hNB单层膜,研究人员进一步制备了hNB/石墨烯异质结和单晶WS2单层薄膜,并考察了hNB在铜抗氧化和水蒸发领域的应用。
小结
总之,这项研究为制备高品质hNB带来了全新的突破,为hNB等新型二维材料的深入研究和实际应用起到了重要的推动作用!
-
2026-06-15 08:25:16
剑桥大学Manish Chhowalla和王琰研究员系统梳理了二维过渡金属硫族化合物(TMD)电子器件实用化面临的掺杂、p 型低阻接触、高 k 栅介质三大核心挑战,并…
-
2026-06-06 14:35:17
六方氮化硼凭借其化学稳定性与可调控电子结构,作为一种固态储氢介质受到广泛关注。本综述总结了六方氮化硼纳米结构的合成方法与性能增强策略。研究证实…
-
2026-05-30 09:44:03
快速工业化和日益增长的能源需求加速了无机污染物的释放,对生态系统和人类健康构成严重威胁。尽管已探索了各种水处理技术,但许多技术存在成本高、产生…
-
2026-05-11 08:48:17
研究背景碳化硼(B₄C)作为一种结构陶瓷材料,因其极高的硬度、低密度和优异的化学稳定性,在装甲防护、核屏蔽和精密研磨等领域具有重要应用。然而,其…
-
2026-05-08 08:18:20
新兴技术的快速发展,尤其是人工智能和第三代半导体的出现,推动了高功率密度电子系统对高效热管理的需求激增。聚合物基导热复合材料兼具聚合物的柔韧性…
-
2026-05-05 08:33:42
导读 近日,暨南大学杨先光课题组在宽禁带半导体光电器件领域取得重要进展,成功实现铟掺杂六方氮化硼 / 氮化镓(In‑doped hBN/GaN)异质结的电压调控…