- 新闻中心
- news Center
- 联系我们
- Contact Us
苏州纳朴材料科技有限公司
- 联系人:
李女士
- Contact:
Ms. Li
- 手机:
18970647474(同微信)
- Mobile Phone:
+86-18970647474
(WeChat ID)
- 邮箱:
- E-mail:
2497636860@qq.com
- 办公室地址:
苏州市相城区聚茂街185号D栋11层1102
- Office Address:
D-1102, 185, Jumao Street, Xiangcheng, Suzhou, Jiansu, China
- 工厂地址:
江西省吉安市井冈山经济技术开发区
- Plant Address:
Jinggangshan Economic Development Zone, Ji' an 343000, Jiangxi, China
一种高产率、高浓度剥离二维六方氮化硼纳米片的通用方法
信息来源:本站 | 发布日期: 2018-11-26 14:09:04 | 浏览量:1477225
六方氮化硼(hBN)是一种类石墨结构的无机超宽带隙电子材料。从hBN粉体剥离出的纳米片(hBNNS)具有超宽带隙、高导热、高化学、热稳定性等优异性能,在先进电子封装、高功率器件及5G通讯等领域具有重要的应用前景。目前hBNNS的剥离方法,包括超声剥离、微机械剥离、球磨剥离等…
该研究团队发现利用锂离子插层辅助的水热剥离法,在高压水热釜的临界反应条件下,通过选择与hBN剥离能相匹配的极性溶剂和高速搅拌,可以将微米级块体材料剥离成几个原子层厚的二维hBNNS,产率高达~55%,同时hBNNS分散液浓度达到~4.13mg/mL。通过AFM和拉曼表征,发现得到的hBNNS厚度在10个原子层以内。同时,研究团队也将这种剥离手段应用到其他常见二维材料纳米片的制备中,并成功得到厚度为1~3nm的石墨烯和二硫化钼纳米片。至此,研究团队成功实现了一种通用型、基于水热法剥离制备二维纳米材料的有效方法。文章^作者为先进材料中心博士王宁,深圳先进院为论文^单位。
论文得到科技部重大研究专项、国地联合先进电子封装材料工程实验室、中科院先导专项、广东省重点实验室、广东省产学研项目、SIAT CAS-CUHK高密度电子封装与器件实验室的支持。
-
2026-06-15 08:25:16
剑桥大学Manish Chhowalla和王琰研究员系统梳理了二维过渡金属硫族化合物(TMD)电子器件实用化面临的掺杂、p 型低阻接触、高 k 栅介质三大核心挑战,并…
-
2026-06-06 14:35:17
六方氮化硼凭借其化学稳定性与可调控电子结构,作为一种固态储氢介质受到广泛关注。本综述总结了六方氮化硼纳米结构的合成方法与性能增强策略。研究证实…
-
2026-05-30 09:44:03
快速工业化和日益增长的能源需求加速了无机污染物的释放,对生态系统和人类健康构成严重威胁。尽管已探索了各种水处理技术,但许多技术存在成本高、产生…
-
2026-05-11 08:48:17
研究背景碳化硼(B₄C)作为一种结构陶瓷材料,因其极高的硬度、低密度和优异的化学稳定性,在装甲防护、核屏蔽和精密研磨等领域具有重要应用。然而,其…
-
2026-05-08 08:18:20
新兴技术的快速发展,尤其是人工智能和第三代半导体的出现,推动了高功率密度电子系统对高效热管理的需求激增。聚合物基导热复合材料兼具聚合物的柔韧性…
-
2026-05-05 08:33:42
导读 近日,暨南大学杨先光课题组在宽禁带半导体光电器件领域取得重要进展,成功实现铟掺杂六方氮化硼 / 氮化镓(In‑doped hBN/GaN)异质结的电压调控…