- 新闻中心
- news Center
- 联系我们
- Contact Us
苏州纳朴材料科技有限公司
- 联系人:
李女士
- Contact:
Ms. Li
- 手机:
18970647474(同微信)
- Mobile Phone:
+86-18970647474
(WeChat ID)
- 邮箱:
- E-mail:
2497636860@qq.com
- 办公室地址:
苏州市相城区聚茂街185号D栋11层1102
- Office Address:
D-1102, 185, Jumao Street, Xiangcheng, Suzhou, Jiansu, China
- A工厂地址:
江西省永丰县桥南工业园
- Plant A Address:
Qiaonan Industrial Park, Yongfeng 331500, Jiangxi, China
- B工厂地址:
江西省吉安市井冈山经济技术开发区
- Plant B Address:
Jinggangshan Economic Development Zone, Ji' an 343000, Jiangxi, China
六方氮化硼单晶上定向外延单层二硫化钼薄膜
信息来源:本站 | 发布日期: 2020-02-21 10:59:07 | 浏览量:762875
六方氮化硼单晶上定向外延单层二硫化钼薄膜 最近,中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室张广宇课题组报道了采用化学气相沉积法在六方氮化硼单晶上定向外延单层二硫化钼薄膜,并对薄膜特性进行了仔细研究。六方氮化硼与二硫化钼都具有三重对称性,是具有原子级平…
六方氮化硼单晶上定向外延单层二硫化钼薄膜
最近,中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室张广宇课题组报道了采用化学气相沉积法在六方氮化硼单晶上定向外延单层二硫化钼薄膜,并对薄膜特性进行了仔细研究。六方氮化硼与二硫化钼都具有三重对称性,是具有原子级平整表面的绝缘体。所制备的薄膜由两种取向的晶粒构成,两种取向的晶粒彼此夹角为60度,两种取向的晶粒在氮化硼衬底上具有相等的能量最低态。高分辨透射电镜证实薄膜只具有60晶界。目前为止,最大限度的减少了二硫化钼薄膜的晶界。提高了样品质量。他们将薄膜制备成场效应晶体管,晶体管具有大约30cm2V-1s-1的电子迁移率和106的开关比。最后他们调控生长前驱体的浓度得到不同截止边界的二硫化钼晶粒,拓宽了样品的应用范围。
-
2024-04-25 13:19:37
3月15日,自然材料(Nature Materials)期刊发表由清华大学深圳国际研究生院、中科院深圳先进技术研究院、金属研究所等国内研究团队合作开发的研究成果…
-
2024-04-19 09:38:30
随着电子器件功率密度的持续攀升,热管理系统面临着前所未有的挑战。在高功率应用场景中,如电动汽车与手机的快速充电,电池或芯片的热失控已成为引发安…
-
2024-04-14 08:41:44
穿越辐射,指的是当自由电子在穿越两种电磁介质界面时所产生的辐射。作为一种重要的自由电子辐射现象,穿越辐射在粒子探测、光源、物质结构探测等领域具…
-
2024-04-08 09:27:24
氮化硼具有独特的力学、热学、电学、光学、阻隔特性,在功能复合材料、导热与散热、能源器件等领域具有广阔的应用前景。近年来,随着科学技术的进步,氮…
-
2024-04-03 08:50:54
电子元器件的高集成特别需要散热好的材料,非常耀眼的聚合物导热添加剂,氮化硼被认为是最理想的一种。然而,提高聚合物和氮化硼填充复合材料的导热性能…
-
2024-03-29 14:33:42
厦门大学化学化工学院王帅教授同美国华盛顿州立大学王勇教授合作,在氮化硼催化甲烷气相氧化的自由基反应机理方面取得研究进展,相关成果以“Mechanist…