欢迎访问 纳朴材料 官方网站!
联系我们:18970647474
当前位置:首页 > 新闻中心 > 行业新闻
新闻中心
news Center
联系我们
Contact Us

苏州纳朴材料科技有限公司

联系人:

李女士

Contact:

Ms. Li

手机:

18970647474(同微信)

Mobile Phone:

+86-18970647474
(WeChat ID)

邮箱:

2497636860@qq.com

E-mail:

2497636860@qq.com

技术联系人:

徐先生

Technical Contact:

Mr. Xu

手机:

15607960267(同微信)

Mobile Phone:

+86-15607960267
(WeChat ID)

邮箱:

nanopure@qq.com

E-mail:

nanopure@qq.com

办公室地址:

苏州市相城区聚茂街185号D栋11层1102

Office Address:

D-1102, 185, Jumao Street, Xiangcheng, Suzhou, Jiansu, China

工厂地址:

江西省吉安市井冈山经济技术开发区

Plant Address:

Jinggangshan Economic Development Zone, Ji' an 343000, Jiangxi, China

燕山大学等Science Advances:强度43GPa的碳化硼有室温大塑性

信息来源:本站 | 发布日期: 2025-06-30 10:45:47 | 浏览量:1856

摘要:

揭示室温下碳化硼晶体的高延展性【背景和问题】延展性是材料在断裂前能够承受显著塑性变形的能力,对于防止材料的灾难性断裂至关重要。然而,由于共价键的强方向性,共价材料在室温下实现拉伸延展性仍然是一个重大挑战。碳化硼(B4C)是一种具有优异硬度、低密度和高熔点…

揭示室温下碳化硼晶体的高延展性


背景和问题
延展性是材料在断裂前能够承受显著塑性变形的能力,对于防止材料的灾难性断裂至关重要。然而,由于共价键的强方向性,共价材料在室温下实现拉伸延展性仍然是一个重大挑战。碳化硼(B4C)是一种具有优异硬度、低密度和高熔点的共价材料,广泛应用于防弹衣和工程领域。然而,其固有的脆性限制了其更广泛的应用。尽管已有研究通过晶界工程、元素掺杂和化学计量比调节等方法来提高B4C的塑性,但其在室温下的延展性仍未实现。

【主要方法】
本研究采用了一系列先进的实验和模拟方法来揭示碳化硼(B4C)在室温下的高延展性。
  • 首先,通过电子叠层成像技术(electron ptychography)结合四维扫描透射电子显微镜(4D-STEM),对B4C的原子排列进行了精确表征,克服了传统成像方法的局限性。
  • 利用高精度的电子显微镜和定制的探测器,收集了高分辨率的4D-STEM数据集,并通过集成约束梯度下降协议(icGd)消除了位置误差和表面污染,显著提高了B4C晶格的对比度。
  • 通过聚焦离子束(FIB)技术制备了微纳尺度的B4C样品,采用了两种不同的力学测试方法:直接拉伸法和推拉法(PTP),以研究B4C在弹性极限之外的变形行为。直接拉伸法用于获取应力-应变曲线,而PTP法则用于对超薄样品施加应变,便于在高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)下进行原位观察。
  • 运用分子动力学(MD)模拟,使用基于深度神经网络的机器学习力场(ML-FF)来模拟B4C的力学行为和变形机制。


结果和意义
  • 成功揭示了碳化硼(B4C)在室温下展现出高达26.8%的高延展性,这一特性在共价材料中极为罕见,且与金属相当。

  • 通过原位高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)观察到,当B4C晶格超过其弹性应变极限时,会形成局部非晶区域,从而导致塑性变形。

  • 分子动力学模拟进一步揭示了在含硼空位的碳-空位-碳(C─V─C)链中,C─C键的形成引发了局部非晶化,进而促进了塑性变形。

  • 结果表明,B4C的塑性变形主要归因于其晶体结构中的空位。这些空位在高应力条件下促进了C─C键的形成,导致局部非晶化,从而实现了显著的塑性变形。

  • 纳米尺度的B4C样品由于其小尺寸效应,能够更逐渐地接近灾难性断裂的临界平面能量密度,从而促进多个非晶化形核点的形成。这一过程通过局部结构转变实现了应变容纳,最终增强了材料的延展性。

  • 本研究不仅揭示了B4C在室温下高延展性的微观机制,还为提高其他强共价材料的延展性提供了一种潜在策略,即通过引入特定的空位来调控材料的塑性。这一发现为开发具有优异力学性能的新型陶瓷材料提供了理论依据,有望推动B4C在防弹衣、航空航天等领域的更广泛应用。


【论文信息】
  • Unveiling high ductility in boron carbide crystal at room temperature

  • Penghui Li, Jun Li, Qilong Feng, Tianye Jin, Yeqiang Bu, Chong Wang, Kun Luo, Shoucong Ning, Bo Xu, Yihan Zhu, Qi An, Hongtao Wang, Anmin Nie, Yongjun Tian

相关文章 (related information)
相关产品 (Related Products)

Copyright 2020 苏州纳朴材料科技有限公司 苏ICP备16022635号-1 版权声明 技术支持:江苏东网科技 [后台管理]
Top