- 新闻中心
- news Center
- 联系我们
- Contact Us
苏州纳朴材料科技有限公司
- 联系人:
李女士
- Contact:
Ms. Li
- 手机:
18970647474(同微信)
- Mobile Phone:
+86-18970647474
(WeChat ID)
- 邮箱:
- E-mail:
2497636860@qq.com
- 办公室地址:
苏州市相城区聚茂街185号D栋11层1102
- Office Address:
D-1102, 185, Jumao Street, Xiangcheng, Suzhou, Jiansu, China
- 工厂地址:
江西省吉安市井冈山经济技术开发区
- Plant Address:
Jinggangshan Economic Development Zone, Ji' an 343000, Jiangxi, China
氮化硼纳米片增强聚乙烯热界面材料
信息来源:本站 | 发布日期: 2023-04-19 08:55:53 | 浏览量:1008780
随着现代社会消费者对便携式电子设备的需求不断增加,电子设备向着更小、更轻、多功能的方向发展。因此电子元件的高度集成度导致电子电路中单个元件产生的热量越来越多,散热问题面临一系列挑战。在实际工作状态下,如果废热不能及时排除,集中的高温会对电子电路中的元器…
热界面材料(TIMs)是有效转移或去除电子器件废热以避免器件因工作在过热条件下而发生故障的重要和不可或缺的材料。然而,为了填充散热器与TIM接触面之间的细小气隙,需要在高压下进行压缩过程,这可能会破坏电子电路的组件,无法完全填充大的气隙。
热熔胶(HMA)由于其能够与大多数材料快速而牢固地结合,并且与其他TIMs相比易于操作,近年来作为解决上述问题的材料而引起了人们的关注。此外,在融化过程中,HMA具有高流动特性,可以充分填充散热片接触面存在的气隙,提高传热效率,这是一个优势,可以大大提高器件的性能和耐用性。
低密度聚乙烯(LDPE)因其优异的绝缘性能、较高的机械强度和良好的循环利用性能,是目前^吸引力的HMA型TIMs聚合物基体之一。然而,尽管其具有优良的机械和化学性能,以及方便的操作过程,但其低的通平面导热系数和较差的形状稳定性阻碍了其作为TIM的实际应用可能性。
因此,许多研究开发了LDPE与六方氮化硼纳米片(BNNS)相结合的高导热复合材料,以在熔体粘附过程中实现高导热和形状稳定。然而,较强的化学键和强的范德华力会导致BNNS与LDPE的相容性较低,从而导致BNNS与LDPE界面处的相分离和重新聚集。因此,由于这些问题引起的热阻增加,这可能会大大降低制备好的BNNS/LDPE复合材料的热导率。如何解决BNNS与LDPE界面热阻的问题是合成TIMs材料的关键问题。
02成果掠影
pYYBAGQ0rfaAS__6AAJEWnB3QGw580.png
韩国的Joong Hee Lee教授 和Ok-Kyung Park教授联合在关于BNNS/LDPE聚合物复合材料的界面热阻问题方向取得新进展。
该团队
报道
了一种有效的合成方法,通过与短PE链支化氮化硼纳米片(BNNS)杂化制备低密度聚乙烯(LDPE)基多功能复合材料,用于高性能热熔胶(HMA)型热界面材料(TIM)。为了提高BNNS/LDPE的热力学性能,通过硝基偶联反应,对BNNS表面进行了短PE链(PE-g-BNNS)的改性,提高了BNNS与LDPE之间的界面结合力。结果表明,与BNNS/LDPE相比,PE-g-BNNS /LDPE的平面导热系数提高了22%,垂直面内导热系数提高了66%。与纯LDPE相比,其热辐射性能也提高了约11%。此外,与纯LDPE相比,PE-g-BNNNS /LDPE的抗拉强度提高了66%,模量提高了350%,表明PE-g-BNNNS /LDPE可以作为TIM来满足高科技电子器件的应用要求。
-
2026-07-27 09:22:37
六方氮化硼(hBN)素有“白色石墨”之称,凭借优异的力学性能、绝缘性、耐腐蚀性及介电性能,成为高端装备、航空航天等尖端领域不可或缺的关键材料。然…
-
2026-07-21 10:42:17
六方氮化硼(hBN)素有“白色石墨”之称,凭借优异的力学性能、绝缘性、耐腐蚀性及介电性能,成为高端装备、航空航天等尖端领域不可或缺的关键材料。然…
-
2026-07-13 08:31:59
研究背景第六代移动通信(6G)预计将推动全息远程呈现、自动驾驶生态等新兴应用落地,要求核心网络将时延从当前的1 ms降至10–100 μs,并支持高达1 Tb…
-
2026-07-06 08:16:43
尽管六方氮化硼(hBN)与片上器件无缝集成,但自旋活性硼空位的光学量子产额本质上极低(VB-缺陷仍然是基于hBN的量子传感器灵敏度的一个重大限制。在这…
-
2026-06-29 08:24:13
研究概述 随着电子和光子芯片对更高计算能力和更大集成密度的需求不断增长,散热问题已成为制约芯片进一步小型化的关键瓶颈。芯片中的热失效通常…
-
2026-06-15 08:25:16
剑桥大学Manish Chhowalla和王琰研究员系统梳理了二维过渡金属硫族化合物(TMD)电子器件实用化面临的掺杂、p 型低阻接触、高 k 栅介质三大核心挑战,并…