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三星研发初半导体材料── 非晶态氮化硼,让下一代半导体加速现身

信息来源:本站 | 发布日期: 2020-09-07 08:40:49 | 浏览量:733677

摘要:

三星先进技术研究院(Samsung Advanced Institute of Technology,简称SAIT)研发出新的半导体材料──「非晶态氮化硼」(amorphous boron nitride,简称a-BN),有望让下一代半导体加速现身。三星官网6日新闻稿称,SAIT、韩国蔚山国家科学技术研究院(Ulsan National In…

三星先进技术研究院(Samsung Advanced Institute of Technology,简称SAIT)研发出新的半导体材料──「非晶态氮化硼」(amorphous boron nitride,简称a-BN),有望让下一代半导体加速现身。三星官网6日新闻稿称,SAIT、韩国蔚山国家科学技术研究院(Ulsan National Institute of Science and Technology)、英国剑桥大学,合力发现了新材料a-BN,此一结果刊载于科学期刊《Nature 》。
SAIT 致力于发展2D 材料,也就是只有一层原子的晶体材料。该机构持续研究石墨烯,在石墨烯电晶体以及如何制作大型单晶的晶圆级石墨烯方面,达成了破天荒的研究成果。
SAIT 石墨烯计划主管和主要研究员Hyeon-Jin Shin 说:「为了加强石墨烯和以硅为基础半导体制程的相容性,要在半导体基板上生成晶圆级石墨烯,必须在摄氏400 度以下的低温进行。」
新发现的材料名为a-BN(见下图),从白色石墨烯淬链而出,内部的氮和硼原子成六角形排列,但是分子结构与白色石墨烯相当不同。a-BN 介电常数(dielectric constant)极低,只有1.78,并有强大的电子和机械特质,能做为隔绝材料,让电子干扰最小化。a-BN 可望广泛用于DRAM、NAND 存储器,特别是大型服务器的下一代存储器解决方案。

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