三星研发初半导体材料── 非晶态氮化硼，让下一代半导体加速现身

信息来源：本站 | 发布日期： 2020-09-07 08:40:49 | 浏览量：1525774

摘要：

三星先进技术研究院（Samsung Advanced Institute of Technology，简称SAIT）研发出新的半导体材料──「非晶态氮化硼」（amorphous boron nitride，简称a-BN），有望让下一代半导体加速现身。三星官网6日新闻稿称，SAIT、韩国蔚山国家科学技术研究院（Ulsan National In…

三星先进技术研究院（Samsung Advanced Institute of Technology，简称SAIT）研发出新的半导体材料──「非晶态氮化硼」（amorphous boron nitride，简称a-BN），有望让下一代半导体加速现身。三星官网6日新闻稿称，SAIT、韩国蔚山国家科学技术研究院（Ulsan National Institute of Science and Technology）、英国剑桥大学，合力发现了新材料a-BN，此一结果刊载于科学期刊《Nature 》。

SAIT 致力于发展2D 材料，也就是只有一层原子的晶体材料。该机构持续研究石墨烯，在石墨烯电晶体以及如何制作大型单晶的晶圆级石墨烯方面，达成了破天荒的研究成果。
SAIT 石墨烯计划主管和主要研究员Hyeon-Jin Shin 说：「为了加强石墨烯和以硅为基础半导体制程的相容性，要在半导体基板上生成晶圆级石墨烯，必须在摄氏400 度以下的低温进行。」
新发现的材料名为a-BN（见下图），从白色石墨烯淬链而出，内部的氮和硼原子成六角形排列，但是分子结构与白色石墨烯相当不同。a-BN 介电常数（dielectric constant）极低，只有1.78，并有强大的电子和机械特质，能做为隔绝材料，让电子干扰最小化。a-BN 可望广泛用于DRAM、NAND 存储器，特别是大型服务器的下一代存储器解决方案。

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