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一种六方氮化硼薄膜的制备剥离及转移方法

信息来源:本站 | 发布日期: 2020-05-20 08:47:58 | 浏览量:1180144

摘要:

本发明公开一种六方氮化硼薄膜的制备剥离及转移方法,通过磁控溅射的方式制备出六方氮化硼薄膜(h-BN薄膜),并采用溶液浸泡的物理方法,实现快速大面积的完整剥离。通过去离子水或碱性溶液的不同配比实现对h-BN薄膜剥离速度的控制。本发明利用磁控溅射的方式制备h-BN薄膜,…

本发明公开一种六方氮化硼薄膜的制备剥离及转移方法,通过磁控溅射的方式制备出六方氮化硼薄膜(h-BN薄膜),并采用溶液浸泡的物理方法,实现快速大面积的完整剥离。通过去离子水或碱性溶液的不同配比实现对h-BN薄膜剥离速度的控制。本发明利用磁控溅射的方式制备h-BN薄膜,工艺简单,且能够实现大面积均匀制备,易实现产业化生产,同时该剥离方法能够实现大面积完整无损剥离,剥离速度可控,为研究h-BN薄膜特性及制备垂直结构大功率深紫外LED器件提供了重要基础。

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