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六方氮化硼成核层减小MOCVD外延生长氮化铝薄膜的应力及裂纹
信息来源：本站 | 发布日期： 2020-04-14 09:38:55 | 浏览量：266571
利用单层六方BN材料(hexagonal BN:hBN)作为成核层,用金属有机物化学气相沉积法生长AlN薄膜,得到应力小裂纹少的外延材料。实验中,对hBN材料进行人为表面化学修饰,以增加hBN的缺陷和后续AlN生长的成核中心。对比分析了有无hBN成核层时生长的AlN薄膜质量,证实了hBN有助于减少…
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2022-07-18 08:20:07
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2022-07-13 13:15:12
改性氮化硼粉末技术领域[0001] 本发明涉及对适于作为化妆品用途的特性进行了改性的改性氮化硼粉末，进而还涉及其改性方法。背景技术[0002] 氮化硼粉末为…
