- 新闻中心
- news Center
- 联系我们
- Contact Us
苏州纳朴材料科技有限公司
- 联系人:
李女士
- Contact:
Ms. Li
- 手机:
18970647474(同微信)
- Mobile Phone:
+86-18970647474
(WeChat ID)
- 邮箱:
- E-mail:
2497636860@qq.com
- 办公室地址:
苏州市相城区聚茂街185号D栋11层1102
- Office Address:
D-1102, 185, Jumao Street, Xiangcheng, Suzhou, Jiansu, China
- 工厂地址:
江西省吉安市井冈山经济技术开发区
- Plant Address:
Jinggangshan Economic Development Zone, Ji' an 343000, Jiangxi, China
六方氮化硼成核层减小MOCVD外延生长氮化铝薄膜的应力及裂纹
信息来源:本站 | 发布日期: 2020-04-14 09:38:55 | 浏览量:1576976
利用单层六方BN材料(hexagonal BN:hBN)作为成核层,用金属有机物化学气相沉积法生长AlN薄膜,得到应力小裂纹少的外延材料。实验中,对hBN材料进行人为表面化学修饰,以增加hBN的缺陷和后续AlN生长的成核中心。对比分析了有无hBN成核层时生长的AlN薄膜质量,证实了hBN有助于减少…
-
2026-09-14 08:38:57
做 AI 的同行都懂一个越来越痛的现实:模型越大、算力越猛,电费越烧越凶。大模型算力需求每两个月翻一番,GPU 单卡功耗冲到 300 多瓦,数据中心一年电…
-
2026-09-07 08:30:13
本综述系统性地考察了六方氮化硼(h-BN)及其衍生物的表面化学与先进调控方法,重点强调了其独特的结构、电子和光学性质,这些性质使其得以广泛应用于众…
-
2026-08-31 09:18:15
研究背景固态自旋缺陷已成为多种量子技术的重要平台,包括多节点量子网络和量子增强传感。这些进展主要得益于可光学寻址的相干自旋所构建的自旋-光子量…
-
2026-08-27 15:35:34
近日,由井冈山大学与吉安纳朴材料科技有限公司联合完成的产学研合作项目——“高纯超细非氧化物特种陶瓷粉体产业化”,在第十二届国际发明展览会“一带…
-
2026-08-24 08:39:56
二维过渡金属硫族半导体的器件性能很容易受到底层栅介质衬底的影响,介质界面的偶极效应、电荷转移会带来不可控的非故意掺杂,这也是单层二硫化钼器件经…
-
2026-08-03 08:26:25
新加坡国立大学领导的国际研究团队开发出一种微型忆阻型射频开关,可在无需持续供电的情况下保持工作状态,并首次将其应用于可重新配置的单片微波集成电…