- 新闻中心
- news Center
- 联系我们
- Contact Us
苏州纳朴材料科技有限公司
- 联系人:
李女士
- Contact:
Ms. Li
- 手机:
18970647474(同微信)
- Mobile Phone:
+86-18970647474
(WeChat ID)
- 邮箱:
- E-mail:
2497636860@qq.com
- 技术联系人:
徐先生
- Technical Contact:
Mr. Xu
- 手机:
15607960267(同微信)
- Mobile Phone:
+86-15607960267
(WeChat ID)
- 邮箱:
- E-mail:
nanopure@qq.com
- 办公室地址:
苏州市相城区聚茂街185号D栋11层1102
- Office Address:
D-1102, 185, Jumao Street, Xiangcheng, Suzhou, Jiansu, China
- 工厂地址:
江西省吉安市井冈山经济技术开发区
- Plant Address:
Jinggangshan Economic Development Zone, Ji' an 343000, Jiangxi, China
张道礼教授团队在六方氮化硼储氢研究中取得重要进展
信息来源:本站 | 发布日期: 2019-06-29 13:24:29 | 浏览量:1388631
6月27日,Nature Communications期刊在线发表了光学与电子信息学院张道礼教授课题组与^科学院上海微系统研究所王浩敏研究员课题组合作的题为“Isolating hydrogen in hexagonal boron nitride bubbles by a plasma treatment”的研究成果。光学与电子信息学院2015级博…
该研究^提出了将等离子体技术与六方氮化硼(h-BN)相结合能够从碳氢化合物中提取出氢气并将其隔离存储在h-BN的层间间隔中,为微纳尺度领域的氢提取及氢存储技术提供了新的思路方案。
研究成果在Nature Communications期刊在线发表
六方氮化硼(h-BN)是一种结构和石墨烯类似的六方晶系二维层状晶体材料,不同的是它由硼、氮两种元素交替组成晶体结构,层间依旧是依靠范德华力(van der Waals Force)紧密结合。更重要的是,h-BN是现已知所有二维材料中^的绝缘材料,被公认为电子器件理想的衬底和隧穿势垒材料,并拥有极好的耐高温、抗氧化性能。研究人员在不经意间发现一个有趣的现象,当采用微弱功率的射频线圈将氩气、氧气以及氢气分别裂解成等离子体对h-BN表面进行处理后,只有被氢气等离子体(H-Plasma)处理过的表面会产生气泡结构,而另外两种等离子体所处理过的样品表面则几乎没有任何变化(见下图)。
轻微的Ar,O2,H2Plasma处理对h-BN表面的影响
更有趣的是,随后研究人员发现当采用甲烷(见下图)、乙炔以及氩氢混合气的等离子体对h-BN样品进行处理后都能使之表面形成尺寸可控的微米级气泡。经过一系列深入的分析表征后,研究人员证明了h-BN结构的完整性以及气泡内所存储的正是氢气。
通过CH4-Plasma处理将H2提取并分离存储在h-BN层间
据悉,该研究工作的合作单位还有维也纳大学、日本国家材料科学研究所等,工作获得了国家重点研发计划、国家自然科学基金面上项目等资助。
-
2026-02-26 10:17:10
氮化硼材料的高导热+强绝缘,完美适配5G射频芯片、新能源电池、半导体封装等高功率场景,是高性能绝缘导热材料的首选,为高功率电子设备热管理提供新的…
-
2026-02-08 08:32:34
氮化硼(BN)是由同等数量的氮(N)和硼(B)原子组成,晶体结构与碳体系十分相似。现有六方氮化硼(h-BN)、立方氮化硼(c-BN)、菱方氮化硼(r-BN)及…
-
2026-02-02 08:48:52
在功率半导体、新能源汽车及智能电网飞速发展的今天,热管理已成为制约电子设备性能与寿命的“卡脖子”环节。对于高电压、大功率应用场景而言,绝缘与导…
-
2026-01-26 09:06:45
近年来,六方氮化硼(h-BN)及其纳米材料被广泛用于与高分子复合制备导热复合材料。一个基本的目标是不断提高复合物的热导率,然而,h-BN的热导率究竟是多…
-
2026-01-19 08:37:35
当六方氮化硼(h-BN)与聚合物被制备成复合材料时,大量的界面是影响复合物热导率的核心因素之一,主要包括h-BN之间,以及h-BN与聚合物的界面。为降低界…
-
2026-01-04 08:09:39
先进材料和电子器件等交叉学科的快速发展,对兼具热管理和阻燃性能的多功能复合材料提出了严峻挑战。福州大学等研究团队提出了一种由氮化硼导热骨架和苯…