- 新闻中心
- news Center
- 联系我们
- Contact Us
苏州纳朴材料科技有限公司
- 联系人:
李女士
- Contact:
Ms. Li
- 手机:
18970647474(同微信)
- Mobile Phone:
+86-18970647474
(WeChat ID)
- 邮箱:
- E-mail:
2497636860@qq.com
- 办公室地址:
苏州市相城区聚茂街185号D栋11层1102
- Office Address:
D-1102, 185, Jumao Street, Xiangcheng, Suzhou, Jiansu, China
- A工厂地址:
江西省永丰县桥南工业园
- Plant A Address:
Qiaonan Industrial Park, Yongfeng 331500, Jiangxi, China
- B工厂地址:
江西省吉安市井冈山经济技术开发区
- Plant B Address:
Jinggangshan Economic Development Zone, Ji' an 343000, Jiangxi, China
北京大学:单晶单层六方氮化硼的制备取得重要进展
信息来源:本站 | 发布日期: 2019-06-29 13:15:21 | 浏览量:776189
近年来,随着芯片尺寸的不断减小,短沟道效应、热效应等日趋明显,开发全新的二维量子材料体系以实现变革性的器件应用已成为当前科技的研究热点。规模化高端器件应用必须基于大面积、高品质的单晶材料,因此二维单晶材料的制备研究具有重要的科学意义和技术价值。作为唯一…
近日,北京大学王恩哥院士、俞大鹏院士、刘开辉研究员与合作者在中心反演对称性破缺的单晶铜衬底上实现了分米级二维单晶六方氮化硼的外延制备,同时对生长机制给出详细的实验及理论分析。相关成果以“Epitaxial growth of a 100-square-centimetre single-crystal hexagonal boron nitride monolayer on copper”为标题发表在《自然》杂志上。
研究团队经过反复攻关,探索出利用对称性破缺的衬底外延非中心反演对称二维单晶薄膜的新方法。该方法通过专利保护的退火工艺将工业多晶铜箔转化为仅有C1对称性的铜(110)小角度倾斜晶面,利用该晶面上独特的Cu<211>台阶和六方氮化硼晶畴的硼型、氮型锯齿形边界耦合强度差打破六方氮化硼生长过程中晶畴取向的简并度,从而实现取向一致的晶畴生长,并无缝拼接为二维单晶薄膜。该方法可推广至其它二维材料的大面积单晶制备,有望推动新型二维材料器件规模化应用的技术发展。
-
2024-05-06 08:13:07
伴随着5G时代的到来,具有高导热性、低介电损耗和高剥离强度的覆铜层压板(CCLs)已被广泛应用于印刷电路板(PCBs)的基材。本研究首次将六方氮化硼(hBN)引…
-
2024-04-25 13:19:37
3月15日,自然材料(Nature Materials)期刊发表由清华大学深圳国际研究生院、中科院深圳先进技术研究院、金属研究所等国内研究团队合作开发的研究成果…
-
2024-04-19 09:38:30
随着电子器件功率密度的持续攀升,热管理系统面临着前所未有的挑战。在高功率应用场景中,如电动汽车与手机的快速充电,电池或芯片的热失控已成为引发安…
-
2024-04-14 08:41:44
穿越辐射,指的是当自由电子在穿越两种电磁介质界面时所产生的辐射。作为一种重要的自由电子辐射现象,穿越辐射在粒子探测、光源、物质结构探测等领域具…
-
2024-04-08 09:27:24
氮化硼具有独特的力学、热学、电学、光学、阻隔特性,在功能复合材料、导热与散热、能源器件等领域具有广阔的应用前景。近年来,随着科学技术的进步,氮…
-
2024-04-03 08:50:54
电子元器件的高集成特别需要散热好的材料,非常耀眼的聚合物导热添加剂,氮化硼被认为是最理想的一种。然而,提高聚合物和氮化硼填充复合材料的导热性能…