- 新闻中心
- news Center
- 联系我们
- Contact Us
苏州纳朴材料科技有限公司
- 联系人:
李女士
- Contact:
Ms. Li
- 手机:
18970647474(同微信)
- Mobile Phone:
+86-18970647474
(WeChat ID)
- 邮箱:
- E-mail:
2497636860@qq.com
- 办公室地址:
苏州市相城区聚茂街185号D栋11层1102
- Office Address:
D-1102, 185, Jumao Street, Xiangcheng, Suzhou, Jiansu, China
- 工厂地址:
江西省吉安市井冈山经济技术开发区
- Plant Address:
Jinggangshan Economic Development Zone, Ji' an 343000, Jiangxi, China
少层六方氮化硼的制备及其复合金属纳米材料的应用
信息来源:本站 | 发布日期: 2019-12-21 11:04:38 | 浏览量:1477503
h-BN纳米材料作为近年来发现的新型二维纳米材料,具有很多优异的物理特性和化学性能,使其在治理环境水质污染方面、可再生能源工业化方面、新型微纳米电子器件方面都具有很大的应用前景。目前,高质量和可工业放大生产的层状h-BN的制备成为氮化硼商业化应用的限制因素。 …
h-BN纳米材料作为近年来发现的新型二维纳米材料,具有很多优异的物理特性和化学性能,使其在治理环境水质污染方面、可再生能源工业化方面、新型微纳米电子器件方面都具有很大的应用前景。目前,高质量和可工业放大生产的层状h-BN的制备成为氮化硼商业化应用的限制因素。
本文以商业化h-BN粉末为前驱体,采用次氯酸钠水溶液辅助球磨剥离方法开发出低成本、高产量的少层h-BN。这种方法可以获得少层(2-4层)h-BN,并且h-BN层状面内结构损坏小,产品的产率高达21%。以少层h-BN为载体,Ag纳米颗粒为催化剂,在NaBH4存在条件下有效地催化还原对硝基苯酚转化为对氨基苯酚,得到的一级反应速率常数为7.13×10-3s-1,大于商品h-BN负载Ag纳米粒子的一级反应速率常数,并且催化剂具有较好的稳定性,可以循环利用。实验结果表明,稳定的剥离过程可以为h-BN基层状材料的一系列重要应用开辟道路。
进一步实验中利用新鲜制备的氯化四氨合铜,氯化六氨合钴和氯化六氨合镍等做为金属前驱体,与硼氢化钾混合球磨得到热分解前驱体,然后在900℃、氮气氛围下焙烧2h制备出少层六方氮化硼分别包裹纳米铜、钴、镍及钴镍合金(M@h-BN)的复合材料,实现了少层h-BN(约5?15层)的一步合成及具有规定尺寸的金属纳米粒子的同步还原。其中CoNi@h-BN表现出较好的催化氨硼烷析氢的活性与稳定性,实验测得的活化能Ea为28 kJmol-1,低于文献报道的大多数金属基催化剂的活化能(Ea)。性能的提高归因于封装后CoNi NPs的电子结构变化以及h-BN和氨硼烷的基本位点之间的强相互作用。
此外,CoNi@h-BN表现的软磁性可以容易地循环利用,并保持高催化活性甚至再循环5次。Co@h-BN,Ni@h-BN,Cu@h-BN)复合材料表现出较强的热稳定性、磁性和较高的导热系数。尤其是Cu@h-BN的导热系数为253.7 Wm-1K-1,其热稳定性可以高达414℃,复合样品优异的性能为小巧或封装级的电子设备的热管理提出潜在解决方案。结合DSC-TG分析和物理化学表征结果,提出了M@h-BN的可能形成机理。同时,这种新型合成策略有望在电化学传感器,高导热粘合剂材料和燃料电池领域获得应用。
-
2026-06-15 08:25:16
剑桥大学Manish Chhowalla和王琰研究员系统梳理了二维过渡金属硫族化合物(TMD)电子器件实用化面临的掺杂、p 型低阻接触、高 k 栅介质三大核心挑战,并…
-
2026-06-06 14:35:17
六方氮化硼凭借其化学稳定性与可调控电子结构,作为一种固态储氢介质受到广泛关注。本综述总结了六方氮化硼纳米结构的合成方法与性能增强策略。研究证实…
-
2026-05-30 09:44:03
快速工业化和日益增长的能源需求加速了无机污染物的释放,对生态系统和人类健康构成严重威胁。尽管已探索了各种水处理技术,但许多技术存在成本高、产生…
-
2026-05-11 08:48:17
研究背景碳化硼(B₄C)作为一种结构陶瓷材料,因其极高的硬度、低密度和优异的化学稳定性,在装甲防护、核屏蔽和精密研磨等领域具有重要应用。然而,其…
-
2026-05-08 08:18:20
新兴技术的快速发展,尤其是人工智能和第三代半导体的出现,推动了高功率密度电子系统对高效热管理的需求激增。聚合物基导热复合材料兼具聚合物的柔韧性…
-
2026-05-05 08:33:42
导读 近日,暨南大学杨先光课题组在宽禁带半导体光电器件领域取得重要进展,成功实现铟掺杂六方氮化硼 / 氮化镓(In‑doped hBN/GaN)异质结的电压调控…