- 新闻中心
- news Center
- 联系我们
- Contact Us
苏州纳朴材料科技有限公司
- 联系人:
李女士
- Contact:
Ms. Li
- 手机:
18970647474(同微信)
- Mobile Phone:
+86-18970647474
(WeChat ID)
- 邮箱:
- E-mail:
2497636860@qq.com
- 办公室地址:
苏州市相城区聚茂街185号D栋11层1102
- Office Address:
D-1102, 185, Jumao Street, Xiangcheng, Suzhou, Jiansu, China
- 工厂地址:
江西省吉安市井冈山经济技术开发区
- Plant Address:
Jinggangshan Economic Development Zone, Ji' an 343000, Jiangxi, China
少层六方氮化硼的制备及其复合金属纳米材料的应用
信息来源:本站 | 发布日期: 2019-12-21 11:04:38 | 浏览量:1524784
h-BN纳米材料作为近年来发现的新型二维纳米材料,具有很多优异的物理特性和化学性能,使其在治理环境水质污染方面、可再生能源工业化方面、新型微纳米电子器件方面都具有很大的应用前景。目前,高质量和可工业放大生产的层状h-BN的制备成为氮化硼商业化应用的限制因素。 …
h-BN纳米材料作为近年来发现的新型二维纳米材料,具有很多优异的物理特性和化学性能,使其在治理环境水质污染方面、可再生能源工业化方面、新型微纳米电子器件方面都具有很大的应用前景。目前,高质量和可工业放大生产的层状h-BN的制备成为氮化硼商业化应用的限制因素。
本文以商业化h-BN粉末为前驱体,采用次氯酸钠水溶液辅助球磨剥离方法开发出低成本、高产量的少层h-BN。这种方法可以获得少层(2-4层)h-BN,并且h-BN层状面内结构损坏小,产品的产率高达21%。以少层h-BN为载体,Ag纳米颗粒为催化剂,在NaBH4存在条件下有效地催化还原对硝基苯酚转化为对氨基苯酚,得到的一级反应速率常数为7.13×10-3s-1,大于商品h-BN负载Ag纳米粒子的一级反应速率常数,并且催化剂具有较好的稳定性,可以循环利用。实验结果表明,稳定的剥离过程可以为h-BN基层状材料的一系列重要应用开辟道路。
进一步实验中利用新鲜制备的氯化四氨合铜,氯化六氨合钴和氯化六氨合镍等做为金属前驱体,与硼氢化钾混合球磨得到热分解前驱体,然后在900℃、氮气氛围下焙烧2h制备出少层六方氮化硼分别包裹纳米铜、钴、镍及钴镍合金(M@h-BN)的复合材料,实现了少层h-BN(约5?15层)的一步合成及具有规定尺寸的金属纳米粒子的同步还原。其中CoNi@h-BN表现出较好的催化氨硼烷析氢的活性与稳定性,实验测得的活化能Ea为28 kJmol-1,低于文献报道的大多数金属基催化剂的活化能(Ea)。性能的提高归因于封装后CoNi NPs的电子结构变化以及h-BN和氨硼烷的基本位点之间的强相互作用。
此外,CoNi@h-BN表现的软磁性可以容易地循环利用,并保持高催化活性甚至再循环5次。Co@h-BN,Ni@h-BN,Cu@h-BN)复合材料表现出较强的热稳定性、磁性和较高的导热系数。尤其是Cu@h-BN的导热系数为253.7 Wm-1K-1,其热稳定性可以高达414℃,复合样品优异的性能为小巧或封装级的电子设备的热管理提出潜在解决方案。结合DSC-TG分析和物理化学表征结果,提出了M@h-BN的可能形成机理。同时,这种新型合成策略有望在电化学传感器,高导热粘合剂材料和燃料电池领域获得应用。
-
2026-08-03 08:26:25
新加坡国立大学领导的国际研究团队开发出一种微型忆阻型射频开关,可在无需持续供电的情况下保持工作状态,并首次将其应用于可重新配置的单片微波集成电…
-
2026-07-27 09:22:37
六方氮化硼(hBN)素有“白色石墨”之称,凭借优异的力学性能、绝缘性、耐腐蚀性及介电性能,成为高端装备、航空航天等尖端领域不可或缺的关键材料。然…
-
2026-07-21 10:42:17
六方氮化硼(hBN)素有“白色石墨”之称,凭借优异的力学性能、绝缘性、耐腐蚀性及介电性能,成为高端装备、航空航天等尖端领域不可或缺的关键材料。然…
-
2026-07-13 08:31:59
研究背景第六代移动通信(6G)预计将推动全息远程呈现、自动驾驶生态等新兴应用落地,要求核心网络将时延从当前的1 ms降至10–100 μs,并支持高达1 Tb…
-
2026-07-06 08:16:43
尽管六方氮化硼(hBN)与片上器件无缝集成,但自旋活性硼空位的光学量子产额本质上极低(VB-缺陷仍然是基于hBN的量子传感器灵敏度的一个重大限制。在这…
-
2026-06-29 08:24:13
研究概述 随着电子和光子芯片对更高计算能力和更大集成密度的需求不断增长,散热问题已成为制约芯片进一步小型化的关键瓶颈。芯片中的热失效通常…