3d过渡金属原子掺杂单层氮化硼、氮化铝的^性原理计算研究自旋电子学是一门新兴的学科和技术,在固体器件中加入电子的磁矩,用电子的自旋来携带信息,从而减少电能消耗。自旋电子器件有望解决现代电子计算机的主要问题:电力耗费巨大；计算机耗费能量产生的热量又需要更多的…

新推出的超薄氮化硼薄膜进一步努力使电子设备小型化[据美国电路教科书资源库官方网站7月12日报道] 蔚山国立科学技术研究院（UNIST）研究人员领导的一项新研究推出了用于下一代电子产品的超薄氮化硼薄膜。由蔚山国立科学技术研究院的科学家领导的国际研究小组，与剑桥大学…

立方氮化硼含量对等离子喷焊层Ni60B+cBN/Ti组织与性能的影响采用扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪和显微硬度计等研究了cBN含量对Q235钢表面Ni60B+cBN/Ti等离子喷焊层显微组织与性能的影响。结果表明:喷焊层可分为熔合区、中部枝晶区和上部含cBN颗粒区。喷焊层中部枝晶区的主…

随着电子元器件、电力系统和通讯设备等领域的飞速发展,其小型化、集成化程度越来越高,功率密度大幅增加,由此带来的散热困难严重影响着器件的效率和寿命,在很大程度上制约着微电子集成技术的进一步发展。众所周知,电子设备的散热能力取决于其所使用的热管理材料而非器件本…

氮化硼纳米管-纳米片分级结构的制备及光学和吸附特性将五硼酸铵、氨硼烷络合物和氧化镁混合,球磨均匀后,在1200℃及0. 6 L/min流动氨气保护条件下退火6 h,即可在氧化铝基片上收集到白色毛状产物.采用X射线衍射(XRD),红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(…

氮化硼纳米片的制备及其应用研究进展氮化硼(boron nitride,BN)是由Ⅲ族的硼原子和Ⅴ族的氮原子组成的一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物。因为硼原子与氮原子采用不同的混合方式,所以形成了几种不同的晶型,比较常见的有2种杂化方式:sp2杂化和sp3杂化。sp2杂化的BN主要包含六方氮化硼…

氮化硼基气凝胶微球的制备及其热性能研究该文提出了一种制备新型导热填料的方法:基于液氮驱动和冰模板法自组装,以氮化硼纳米片和银纳米颗粒为基本组装单元,制备了具有开放孔结构、内部互连的毫米级氮化硼气凝胶球。其中,对气凝胶球的成型机理进行了初步的探索,并对影响气…

碳化硅的晶形结构及粉体制备文章整理苏州纳朴材料科技有限公司碳化硅（SiC）作为一种重要的结构陶瓷材料，凭借其优异的高温力学性能、高硬度、高弹性模量、高耐磨性、高导热性、耐腐蚀性等性能，不仅应用于高温窑具、燃烧喷嘴、热交换器、密封环、滑动轴承等传统工业领域…

科学家发现氮化硼催化剂能摧毁有毒的“^化学品”PFAS 来源：cnBeta.COM据外媒New Atlas报道，化学污染物对环境来说意味着坏消息，但有些类型的污染物比其他类型的污染物危害更大。例如PFAS和GenX等有毒物质被称为“^化学品”，因为它们能够在环境中持续很长时间。莱…

三星宣布与合作伙伴一同发现了一种名为非晶氮化硼（a-BN）的新材料。其在三星先进技术研究院(SAIT)的研究人员与蔚山国立科学技术研究院(UNIST)以及剑桥大学合作进行了这一发现。合作者在《自然》杂志上发表了他们的研究成果，并认为这种材料将 "加速下一代半导体的出…

氮化硼无定形化展现更好的电学性能^作者：Seokmo Hong通讯作者：Manish Chhowalla（剑桥大学）、Hyeon-Jin Shin（三星高级技术研究所）、Hyeon Suk Shin（国立蔚山科学技术院）通讯单位：剑桥大学、三星高级技术研究所、国立蔚山科学技术院研究亮点：1.通过控制实验条…

据媒体报道，三星电子7月6日宣布，三星高级技术学院（SAIT）的研究人员与蔚山国家科学技术学院（UNIST）、剑桥大学两家高校合作，发现了一种名为非晶态氮化硼（a-BN）的新材料，此项研究可能加速下一代半导体材料的问世。非晶态氮化硼有望广泛应用于DRAM和NAND解决方案，…