- 新闻中心
- news Center
- 联系我们
- Contact Us
苏州纳朴材料科技有限公司
- 联系人:
李女士
- Contact:
Ms. Li
- 手机:
18970647474(同微信)
- Mobile Phone:
+86-18970647474
(WeChat ID)
- 邮箱:
- E-mail:
2497636860@qq.com
- 技术联系人:
徐先生
- Technical Contact:
Mr. Xu
- 手机:
15607960267(同微信)
- Mobile Phone:
+86-15607960267
(WeChat ID)
- 邮箱:
- E-mail:
nanopure@qq.com
- 办公室地址:
苏州市相城区聚茂街185号D栋11层1102
- Office Address:
D-1102, 185, Jumao Street, Xiangcheng, Suzhou, Jiansu, China
- 工厂地址:
江西省吉安市井冈山经济技术开发区
- Plant Address:
Jinggangshan Economic Development Zone, Ji' an 343000, Jiangxi, China
最新AM:突破性研究!PECVD低温生长h-BN忆阻器集成处理器
信息来源:本站 | 发布日期: 2025-01-14 11:45:16 | 浏览量:139732
研究背景与挑战随着人工智能(AI)技术的不断发展,传统计算架构面临越来越多的限制,例如时间延迟和功耗瓶颈,尤其是在处理复杂的时序数据时。储备计算通过减少训练成本和优化神经网络架构,成为解决这些问题的潜在方案。然而,当前的储备计算硬件仍然面临制造兼容性和集…
利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术,研究团队在金属电极上直接生长h-BN薄膜,并通过调整单位厚度的等离子体辐照时间实现了对晶体性的精确控制,成功制备出纳米晶态(h-BN)和非晶态(a-BN)两种形式的h-BN薄膜。这种方法在350°C的低温下完成,打破了传统高温工艺的限制。
-
2025-05-12 08:56:48
在如今小型化、集成化电子设备和元器件的输出功率越来越大,散热需求越来越大的情况下,六方氮化硼(h-BN)由于其中的硼(B)和氮(N)之间通过强的平面…
-
2025-05-05 09:59:41
氮化硼材料的高导热+强绝缘,完美适配5G射频芯片、新能源电池、半导体封装等高功率场景,是高性能绝缘导热材料的首选,为高功率电子设备热管理提供新的…
-
2025-04-29 08:07:16
高分子聚合物材料具有易加工成型、低密度、耐腐蚀、耐热性、低介电常数及优异的力学性能,使其广泛应用到电子设备、航空航天等领域。其中,大部分高分子…
-
2025-04-21 08:36:03
全文速览六方氮化硼(hBN)因其含有多种室温下存在的高亮度单光子而备受关注。然而,由于发射光谱的不确定性以及缺乏关于原子缺陷结构的信息,对于探索…
-
2025-04-14 08:41:20
美国范德堡大学Piran R. Kidambi发表了题为“Scalable Bottom-Up Synthesis of Nanoporous Hexagonal Boron Nitride (h‑BN) for Large-Area Atomicall…
-
2025-04-06 10:11:54
应对空气污染与全球变暖,已成为全球关注的焦点。解决这一问题,关键在于控制传统化石能源的使用,并积极开发可再生的清洁能源。太阳能、水能、风能及地…