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最新AM：突破性研究！PECVD低温生长h-BN忆阻器集成处理器
信息来源：本站 | 发布日期： 2025-01-14 11:45:16 | 浏览量：169080
研究背景与挑战随着人工智能（AI）技术的不断发展，传统计算架构面临越来越多的限制，例如时间延迟和功耗瓶颈，尤其是在处理复杂的时序数据时。储备计算通过减少训练成本和优化神经网络架构，成为解决这些问题的潜在方案。然而，当前的储备计算硬件仍然面临制造兼容性和集…
利用等离子增强化学气相沉积（PECVD）技术，研究团队在金属电极上直接生长h-BN薄膜，并通过调整单位厚度的等离子体辐照时间实现了对晶体性的精确控制，成功制备出纳米晶态（h-BN）和非晶态（a-BN）两种形式的h-BN薄膜。这种方法在350°C的低温下完成，打破了传统高温工艺的限制。
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2025-06-30 10:45:47
揭示室温下碳化硼晶体的高延展性【背景和问题】延展性是材料在断裂前能够承受显著塑性变形的能力，对于防止材料的灾难性断裂至关重要。然而，由于共价键…
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2025-06-23 09:21:42
研究背景固态单光子发射源（SPEs）是推动量子技术发展的核心元件，在安全通信、量子优势计算及精密测量等领域具有不可替代的作用。六方氮化硼（h-BN）作…
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2025-06-16 14:00:41
01背景介绍随着无线充电系统、5G通信技术、新能源汽车和人工智能系统的飞速发展，电子设备的散热需求日益增长，对高性能热管理材料的要求也愈发严苛。六…
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2025-06-16 13:58:30
摘要：固态电解质因有望提升能量密度并通过去除易挥发液态电解质提高安全性，在锂离子电池领域备受关注。然而，现有材料常因性能不足或加工成本高而难以…
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2025-06-09 08:43:50
一、研究背景六方氮化硼（h-BN）作为一种新型二维材料，因其卓越的热导率（350-600 W m⁻ K⁻）、化学稳定性和机械强度，已成为热界面材料（TIMs）领域…
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2025-06-04 15:01:21
基于范德华Van der Waals (vdW) 材料的量子平台，可以设计具有混合和独特性质的新型异质结构，已被用作非线性光学、广谱可调性以及强光-物质耦合的超表…
