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突破电子封装新高度:氮化硼新材料的魔法改造
信息来源:本站 | 发布日期: 2024-11-15 09:55:56 | 浏览量:26392
电子产品越来越轻薄、越来越高效,但有一个问题始终困扰着工程师们,那就是——散热。想象一下,你的手机芯片堆叠得像摩天大楼一样,却只能靠小风扇来“降火”,效率自然不理想。今天,我们来聊聊如何用一种神奇材料——氮化硼(h-BN),来给这些“小火炉”降降温。Part.…
电子产品越来越轻薄、越来越高效,但有一个问题始终困扰着工程师们,那就是——散热。想象一下,你的手机芯片堆叠得像摩天大楼一样,却只能靠小风扇来“降火”,效率自然不理想。今天,我们来聊聊如何用一种神奇材料——氮化硼(h-BN),来给这些“小火炉”降降温。
Part.01
氮化硼是什么“神仙”材料
氮化硼是一种兼具优异导热性和绝缘性的材料。相比于传统的氧化铝(Al₂O₃)、氧化硅(SiO₂)等材料,它的导热系数高达250-300 W/mK(普通塑料的导热系数只有0.2 W/mK),而且还不导电,完美符合现代电子封装的需求。然而,氮化硼虽然好用,但它也有“脾气”。由于表面能高,很难和塑料基体“打成一片”,导致散热效果大打折扣。这就需要对氮化硼的表面进行改性。
Part.02
一步搞定!氮化硼的神奇改造
传统的表面改性方法一般需要复杂的设备和有害的化学试剂,而研究人员们发现了一种简单又环保的方法:通过一种高沸点溶剂(1,2,4-三氯苯)和氨基酸(甘氨酸)在高温回流条件下,一步完成氮化硼的表面改性。这种方法可以在氮化硼的表面引入氨基功能团,显著提高它与环氧树脂的亲和力,降低界面热阻。这一魔法操作让氮化硼变得更“温柔”,更容易和环氧树脂“打成一片”。
Part.03
改性后的氮化硼有多厉害?
经过甘氨酸改性的氮化硼填料(BN@G11)被加入环氧树脂中后,导热系数高达1.04 W/mK,相比纯环氧树脂提高了477.8%,相较未改性的氮化硼提高了57.5%。而且,这些复合材料还表现出了更好的热机械性能,证明了氮化硼与环氧树脂之间更强的界面粘结力。
Part.04
研究可扩展、低成本,未来的散热利器
Part.04
研究可扩展、低成本,未来的散热利器
与其他需要复杂合成步骤和昂贵设备的表面处理方法相比,这种溶剂热回流改性法具有更高的可扩展性和成本效益,适合大规模生产。这种环保、高效的创新方法,为未来2.5D/3D半导体封装材料的设计提供了强有力的支持。
Part.05
结语
Part.05
结语
氮化硼的新型改性技术给电子封装材料带来了新的突破。通过简单的一步改性操作,我们实现了导热性和力学性能的大幅提升,为未来高密度、高功率的电子器件提供了更可靠的散热解决方案。未来,我们期待这种新材料能够更广泛地应用在电子封装、半导体器件等领域,让我们的小手机、小电脑在高性能的路上“热火朝天”又“冷静自持”。
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