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研究前沿：Nature Electronics-石墨烯/六方氮化硼hBN
信息来源：本站 | 发布日期： 2023-02-09 13:44:09 | 浏览量：868153
在器件结构设计中，多层六方氮化硼Multilayer hexagonal boron nitride，hBN可用于保留其他二维材料的本征物理性质。然而，由于难以合成高质量的大面积多层六方氮化硼hBN，进而整合相同尺度的其他二维材料层，这使得多层六方氮化硼材料集成到大规模二维异质结构，仍然^…
在器件结构设计中，多层六方氮化硼Multilayer hexagonal boron nitride，hBN可用于保留其他二维材料的本征物理性质。然而，由于难以合成高质量的大面积多层六方氮化硼hBN，进而整合相同尺度的其他二维材料层，这使得多层六方氮化硼材料集成到大规模二维异质结构，仍然^挑战。
今日，日本九州大学(Kyushu University) Satoru Fukamachi，Hiroki Ago等，在Nature Electronics上发文，报道了厘米级多层六方氮化硼hBN，主要是在铁镍合金箔上，通过化学气相沉积合成，然后用作石墨烯场效应晶体管的衬底和表面保护层。
还开发了一种集成电化学转移和热处理方法，从而创建了高性能石墨烯/六方氮化硼hBN异质堆叠结构。通过常规和可扩展方法制造的石墨烯场效应晶体管阵列显示，当六方氮化硼hBN用作绝缘衬底时，增强了室温载流子迁移率，并且当用另一个六方氮化硼hBN片封装石墨烯时，进一步增加了室温载流子迁移率（高达10,000cm2V−1s−1）。
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