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东南大学《AFM》:缺陷氮化硼诱导LiBH4亚表面锂离子迁移!
信息来源:本站 | 发布日期: 2022-12-28 13:03:03 | 浏览量:81530
锂离子电池中有机液体电解质的安全问题令人关注,开发高安全性、高能量密度的固体电解质越来越受到人们的重视。氢化物电解质具有高的电化学稳定性和阳极兼容性,可以充分缓解安全焦虑。然而,室温下呈现的低离子电导率仍然有待进一步提升。来自东南大学的学者采用h-BN缺陷…
来自东南大学的学者采用h-BN缺陷诱导(BH4)-四面体变形的策略来提高LiBH4/BN复合电解质的室温离子电导率。理论计算表明,(BH4)-四面体的体积膨胀了14%。这种四面体变形削弱了LiBH4中的Li-H相互作用力,从而促进了Li离子的迁移。LiBH4/BN复合材料能够在40℃下提供1.15×10-4S cm-1的锂离子电导率,锂离子迁移数为97%。在室温下的电子电导率极低,为4.59×10-10S cm-l。LiBH4的亚表面提供了所有可能的离子扩散通道中最低的迁移阻碍,为锂离子迁移提供了最佳道路。此外,LiBH4/BN电解质还具有优异的电化学稳定性和电极兼容性。所采用的外场诱导(不仅是缺陷)和配体变形(不仅是(BH4)-)策略也可以扩展到其他固体电解质。相关文章以“Defective Boron NitrideInducing the Lithium-ion Migration on the Sub-surface of LiBH4”标题发表在Advanced Functional Materials。
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3月21日,落户宝山区月浦镇的科创企业上海硼矩新材料科技有限公司迎来好消息,由该公司研发的国内首家氮化硼纳米管产线正式启动。据了解,氮化硼纳米管…
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