非晶氮化硼将广泛应用于诸如DRAM和NAND解决方案等半导体7月，三星电子宣布，三星高级技术学院（SAIT）的研究人员与蔚山国家科学技术学院（UNIST）、剑桥大学两家高校合作，发现了一种名为非晶态氮化硼（a-BN）的新材料，此项研究可能加速下一代半导体材料的问世。三星指出…

科学家发现氮化硼催化剂能摧毁有毒的“^化学品”PFAS 来源：cnBeta.COM据外媒New Atlas报道，化学污染物对环境来说意味着坏消息，但有些类型的污染物比其他类型的污染物危害更大。例如PFAS和GenX等有毒物质被称为“^化学品”，因为它们能够在环境中持续很长时间。莱…

三星宣布与合作伙伴一同发现了一种名为非晶氮化硼（a-BN）的新材料。其在三星先进技术研究院(SAIT)的研究人员与蔚山国立科学技术研究院(UNIST)以及剑桥大学合作进行了这一发现。合作者在《自然》杂志上发表了他们的研究成果，并认为这种材料将 "加速下一代半导体的出…

氮化硼无定形化展现更好的电学性能^作者：Seokmo Hong通讯作者：Manish Chhowalla（剑桥大学）、Hyeon-Jin Shin（三星高级技术研究所）、Hyeon Suk Shin（国立蔚山科学技术院）通讯单位：剑桥大学、三星高级技术研究所、国立蔚山科学技术院研究亮点：1.通过控制实验条…

据媒体报道，三星电子7月6日宣布，三星高级技术学院（SAIT）的研究人员与蔚山国家科学技术学院（UNIST）、剑桥大学两家高校合作，发现了一种名为非晶态氮化硼（a-BN）的新材料，此项研究可能加速下一代半导体材料的问世。非晶态氮化硼有望广泛应用于DRAM和NAND解决方案，…

三星发现可能导致半导体范式转变的非晶氮化硼三星高级技术学院(SAIT)的研究小组宣布，与蔚山国立科学技术学院(UNIST)和剑桥大学合作，发现了新材料-非晶氮化硼(a-BN)。这家韩国巨头声称有可能加速下一代半导体的出现。非晶氮化硼(a-BN)由具有非晶分子结构的硼和氮原子组成…

氮化硼基气凝胶微球的制备及其热性能研究该文提出了一种制备新型导热填料的方法:基于液氮驱动和冰模板法自组装,以氮化硼纳米片和银纳米颗粒为基本组装单元,制备了具有开放孔结构、内部互连的毫米级氮化硼气凝胶球。其中,对气凝胶球的成型机理进行了初步的探索,并对影响气…

聚晶立方氮化硼用结合剂及其制备工艺的研究进展聚晶立方氮化硼(PCBN)具有高硬度和好的耐磨性、导热性、高温稳定性及化学稳定性,在加工淬硬钢、灰铸铁、钛合金以及高温合金等难加工材料领域有广泛的应用。本文综述了PCBN用结合剂研究及应用概况,分别介绍了PCBN用金属/陶瓷…

环氧树脂中3D氮化硼复合导热网络的构筑及性能随着电子元器件的微型化以及微电子集成电路的快速发展,工业应用中对于电子封装材料的散热性及各方面性能提出了更高的要求。高分子材料以其优异的耐腐蚀性、电气绝缘性、质轻、易加工及优良的介电性能等优点,广泛应用于各个领域…

孙蓉研究员团队揭示六方氮化硼纳米片剥离新方法^科学院深圳先进技术研究院先进电子该研究通过利用水热临界条件和反应体系材料研究中心王宁博士与孙蓉研究员及其团队的优化来提高hBNNS的剥离产率和分散液的主导的研究在六方氮化硼纳米片剥离方法取浓度。其中,采用水热剥…

苏州纳米所在氮化硼气凝胶研究中获进展气凝胶,被誉为改变^的新材料,具有孔隙率高、比表面积大、密度低、绝热性能好等优异理化性质,在热/声/电绝缘、催化剂/药物载体、星际尘埃收集、环境修复、能源与传感等领域具有重要应用前景。然而,其自身力学缺陷,如强度弱、易脆、…

氮化硼/二硫化钼-环氧复合材料的导热性能研究随着现代电子产品的快速发展,研发具有高效的热管理材料正成为全球性的挑战。研究表明界面热阻是限制导热复合热管理材料高导热性能的最主要因素。该文设计并利用水热法合成了低界面热阻的六方氮化硼(BN)/二硫化钼(MoS_2)异质结…