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氮化硼可制备半导体器件

信息来源:本站 | 发布日期: 2021-06-03 14:39:24 | 浏览量:83

摘要:

氮化硼可以应用制备半导体元器件上面,最早是日本科学技术厅无机材料研究所利用生长大的单晶体立方氮化硼(c-BN)的最新技术成果,成功地制造了世界上第一个能在650℃温度下稳定工作的p-n结型二极管。在此之前普遍用的是硅半导体目前广泛用作电子器件材料,但在200℃以上时失…

氮化硼可以应用制备半导体元器件上面,最早是日本科学技术厅无机材料研究所利用生长大的单晶体立方氮化硼(c-BN)的最新技术成果,成功地制造了世界上第一个能在650℃温度下稳定工作的p-n结型二极管。

在此之前普遍用的是硅半导体目前广泛用作电子器件材料,但在200℃以上时失效。因此试图研究一种可用于极高温度环境,如外层空间和核反应堆的新型高温半导体材料。在这方面,刚度和可熔性等于金刚石的材料是值得考虑的。金刚石的基础材料是石墨,石墨的导热性能好,同时,与石墨性质相同,被称为白石墨的氮化硼列入研究员的视野。经过一系列研发,最终成品以氮化硼材料制成了高温半导体p-n结器件.它在650℃下,仍能正常工作,比目前广泛应用的硅器件,在使用温度方面,一下提高了3倍多.可以想象,这种材料将给半导体工业带来广阔的前景,是一个重大的突破.这也将促使开发氮化硼衍的生品六方氮化硼等系新材料更多的用途。

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