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5N高纯热解氮化硼产品及其应用

信息来源：本站 | 发布日期： 2021-01-20 08:18:05 | 浏览量：765268

摘要：

热解氮化硼英文名为PyrolyticBoron Nitride，简称为Pyrolytic BN或PBN，也称为Chemicalvapour-deposited Boron Nitride、ChemicalVapour-deposition of BoronNitride或CVD-BN等。顾名思义这是一种通过化学气相沉积法通过高温热解反应制备获得的一种氮化硼。它在高温、高真空条件下，由氨和硼的卤化物进行化学气相沉积（CVD）而成，既可以沉积成PBN薄板材料，也可以直接沉积成管、环或薄壁容器等PBN最终产品。属于六方晶系。热解氮化硼的主要特点是纯度非常非常非常高，可达到99.999%以上，（热压氮化硼通常只有约99%的纯度）在许多尖端材料制备领域有着不可替代的作用。

材料特点

它与普通的热压氮化硼(BN)不同，不必经过传统的热压烧结过程，不添加任何烧结剂，因此获得的产品具有如下显著特点：

1、无毒、无味；2、纯度高，达到99.999%以上；3、室温下与酸、碱、盐及有机试剂不反应，在熔融的盐、碱液中略腐蚀，但能抗高温下各种酸的腐蚀；4、与大多数熔融金属、半导体及其化合物不反应；5、在1000℃以下，抗氧化性能良好；6、抗热震性能良好，2000℃投入水中未见裂纹；7、使用温度高，无升华点，在3000℃以上直接分解为B和N；8、电阻高，电绝缘性能好；9、表面光滑，无气孔，与大多数半导体熔体不湿润。

应用领域

热解氮化硼（PBN）材料具有高纯度、化学惰性以及优异的结构和性能使其成为元素提纯、化合物及化合物半导体晶体生长的理想容器，同时还广泛应用于航空、航天、电子、化工、特种冶金、医疗等各个领域。

1、GaAs、InP单晶生长容器

化合物半导体单晶（比如GaAs、InP等）的生长需要极其严格的环境，包括温度、原料纯度以及生长容器纯度等。PBN是目前化合物半导体单晶生长用最为理想的容器，无可替代。化合物半导体单晶生长方法目前主要有液封直拉法（LEC）、水平布里曼法（HB）和垂直布里曼法（VB和VGF）等方法，对应的PBN有LEC坩埚、VB坩埚和VGF坩埚等等；

注：VGF是目前国际上生长GaAs和InP等化合物半导体单晶的主流技术。而热解氮化硼VGF坩埚则是垂直梯度凝固法（VGF）生长化合物单晶的容器。热解氮化硼坩埚制备原理：利用化学气相淀积技术，根据产品的需要，可选用不同的芯模做成各种形状，生成的物质（六方氮化硼）覆盖在芯模上即涂层，脱模取下就是高纯的壳体，即所需的坩埚。

转载请注明出处（5N高纯热解氮化硼产品及其应用： http://www.np-materials.com/news/844.html )

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