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俄中澳日四国研发氮化硼新型半导体材料：厚度仅一个分子
信息来源：本站 | 发布日期： 2020-10-16 08:31:37 | 浏览量：762907
早前，据俄媒报道，莫斯科钢铁冶金学院(NUST MISIS)的科学家与北京交通大学、澳大利亚昆士兰科技大学以及日本国立材料科学研究所的同事们一起开发出一项技术，制成厚度为一个分子的氮化硼新型半导体材料。这项发现可用于制造纳米处理器，它是现有处理器的千分之一。 据…
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